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目录
第一章 绪 论
1.1 引言
1.2 GaN材料与AlGaN/GaN HEMT概述
1.3 AlGaN/GaN HEMT器件研究历史及现状
1.4 提高AlGaN/GaN HEMT器件耐压的方法
1.5 课题主要研究内容
第二章 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理及击穿机理
2.1 极化效应和二维电子气
2.2 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理
2.3 AlGaN/GaN HEMT器件击穿机制
第三章 AlGaN/GaN HEMT器件场板结构研究
3.1 Sentaurus软件介绍
3.2 器件建模和仿真方案
3.3 栅场板结构对器件击穿特性的影响
3.4 源端场板结构研究
3.5 本章小结
第四章 AlGaN/GaN HEMT器件背势垒研究
4.1 带背势垒的AlGaN/GaN HEMT器件结构和物理模型
4.2 背势垒对器件直流特性的影响
4.3 背势垒对器件击穿特性的影响
4.4 背势垒对器件频率特性的影响
4.5 本章小结
第五章 结 论
致谢
参考文献
攻硕期间取得的研究成果