甲酸辅助烧结纳米银无压连接IGBT芯片方法及可靠性

声明

第一章 绪论

1.1 研究背景

1.2 电力电子器件简介

1.3 功率模块的高效散热封装技术发展

1.4 功率器件的高温可靠连接技术

1.5 低温烧结纳米银连接技术研究进展

1.6 功率模块的可靠性

1.7 研究主要工作和研究意义

第二章 封装材料、设备及表征手段

2.1 试验材料

2.2 封装工艺设备

2.3 连接工艺表征方法

2.4 IGBT模块性能表征

2.5 IGBT模块可靠性测试

第三章 甲酸辅助烧结纳米银无压连接机制

3.1 引言

3.2 工艺方案设计与实现

3.3 焊层空洞的控制

3.4 空洞对功率器件热散失的影响

3.5 甲酸气氛中纳米银无压烧结致密化行为

3.6 本章小结

第四章 烧结纳米银封装IGBT模块制备与表征

4.1 引言

4.2 高可靠性IGBT模块封装策略

4.3 烧结纳米银封装IGBT模块

4.4 电气性能表征

4.5 散热特性

4.6 本章小结

第五章 烧结纳米银封装IGBT模块的可靠性评价

5.1 引言

5.2 高低温冲击老化

5.3 功率循环老化

5.4 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 本文总结

6.2 本文创新点

6.3 工作展望

参考文献

发表论文与参加科研情况说明

致谢