基于有源驱动电路SiC MOSFET瞬态性能的分析与优化

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致谢

1 绪论

1.1 研究背景

1.2 基于有源驱动优化SiC MOSFET瞬态性能的研究现状

1.2.1 基于有源驱动电路抑制开关波形的尖峰和振荡

1.2.2 桥式电路中SiC MOSFET串扰峰值计算

1.2.3 基于有源驱动电路抑制桥式电路中的串扰

1.3 课题研究重点和难点

1.4 研究内容安排

2 SiC MOSFET的基本结构及开关特性研究

2.1 SiC MOSFET的基本机构及工作原理

2.2 SiC MOSFET开关特性的分析

2.2.1 SiC MOSFET开关特性仿真分析

2.2.2 SiC MOSFET开关过程的理论分析

2.3 寄生参数对开关特性影响的特点

2.4 本章小结

3 基于电压注入型有源驱动电路抑制电压电流的尖峰和振荡

3.1 电压电流尖峰和振荡的抑制机理分析

3.2 电压注入型有源驱动电路的原理及设计

3.2.1 电压注入型有源驱动电路的工作原理

3.2.2 电压注入型有源驱动电路的参数设计

3.3 电压注入型有源驱动的仿真验证

3.4 电压注入型有源驱动的实验验证

3.5 本章总结

4 桥式电路中串扰的形成机理及串扰峰值的计算

4.1 串扰的形成机理及栅漏电容的非线性对串扰峰值的影响

4.2 基于栅漏电容的非线性的精确求解串扰峰值的方法

4.3 理论计算及仿真验证

4.3.1 串扰峰值的理论计算

4.3.2 仿真验证

4.4 实验验证

4.5 本章总结

5 基于多电平有源驱动电路抑制桥式电路中的串扰

5.1 SiC MOSFET串扰抑制措施研究及有源驱动电路设计标准

5.1.1 SiC MOSFET串扰的分析

5.1.2 SiC MOSFET有源驱动电路的设计标准

5.2 串扰抑制的多电平有源驱动电路的工作原理和设计

5.3 多电平有源驱动电路的硬件设计

5.3.1 多电平栅极驱动器的设计

5.3.2 多电平有源驱动电路的供电和串扰抑制电路设计

5.3.3 控制信号设计

5.4 多电平有源驱动电路的实验验证

5.5 本章小结

6 结论

6.1 全文工作总结

6.2 课题展望

参考文献

作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果

独创性声明

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