p型Sb掺杂ZnO纳米棒的制备与光电性能

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致谢

摘要

第一章 绪论

1．1 引言

1．2 纳米材料简介

1．3 半导体材料简介

1．4 ZnO的基本性质

1．5 ZnO发光二极管

1．6 ZnO的P型掺杂

1．7 Sb：ZnO的制备方法

1．7．1 气相法

1．7．2 液相法

1．8 本论文的研究内容及意义

1．8．1 研究内容

1．8．2 研究意义

第二章 实验方法与条件

2．1 电沉积系统选择

2．2 实验电极的选择

2．3 模具装置选择

2．4 实验原料与所用仪器

2．5 基本实验流程

2．5．1 基板切割与清洗

2．5．2 称量原料与溶液配制

2．5．3 后续实验流程

第三章 不同沉积电位下Sb：ZnO纳米结构的可控合成与性能

3．1 引言

3．2 电沉积ZnO循环伏安曲线分析

3．2．1 循环伏安法简介

3．2．2 循环伏安法实验过程

3．2．3 循环伏安实验结果与讨论

3．3 沉积电位对电沉积Sb：ZnO晶体生长的影响

3．3．1 样品制备

3．3．2 电沉积ZnO基本化学过程分析

3．3．2 沉积电位对Sb：ZnO纳米结构形貌的影响

3．3．3 沉积电位对Sb：ZnO纳米棒光学性能影响

3．3．4 Sb：ZnO中sb含量随沉积电位的变化

3．4 本章小结

第四章 不同前驱体溶液组分下Sb：ZnO纳米结构的可控合成与性能

4．1 引言

4．2 前驱体溶液浓度对Sb：ZnO沉积初期的影响

4．2．1 实验过程

4．2．1 实验结果与讨论

4．3 三氯化锑浓度对Sb：ZnO纳米棒生长的影响

4．3．1 实验过程

4．3．2 实验结果与讨论

4．4 前驱体溶液pH值对Sb：ZnO生长的影响

4．4．1 实验过程

4．4．2 实验结果与讨论

4．5 本章小结

第五章 基板选择、二次沉积及退火对Sb：ZnO晶体特性影响

5．1 引言

5．2 基板的影响

5．2．1 不同基板上的循环伏安分析

5．2．2 基板对Sb：ZnO纳米棒生长的影响

5．3 二次沉积的影响

5．3．1 制备Sb：ZnO分级纳米结构

5．3．2 二次沉积法制备同轴同质pn结纳米棒结构

5．4 退火对Sb：ZnO晶体的影响

5．4．1 实验过程

5．4．2 实验结果与讨论

5．4 本章小结

第六章 Sb：ZnO基半导体原型器件的电学性质

6．1 引言

6．2 n-ZnO／Sb：ZnO纳米棒阵列同质结电性测量

6．3 外部环境对Sb：ZnO纳米棒电学性质的影响

6．3 离子束沉积法测量单根Sb：ZnO纳米棒电性

6．3．1 场效应晶体管确定单根纳米棒导电类型原理

6．3．2 单根纳米棒场效应晶体管的制备与测量

6．3．3 电性测量结果

6．3．4 载流子浓度与迁移率的计算

6．4 本章小结

第七章 同步辐射法探究Sb：ZnO晶体P型导电来源及Sb掺杂离子周围局部环境

7．1 引言

7．2 Sb：ZnO中Sb的价态

7．2．1 X射线光电子能谱分析

7．2．2 X射线吸收近边结构(XANES)分析

7．2．3 扩展X射线吸收精细结构(EXAFS)分析

7．3 本章小结

第八章 全文总结、创新之处与展望

8．1 全文总结

8．2 创新之处

8．3 展望

参考文献

攻读博士学位期间取得的科研成果