球形工件内表面磁控溅射技术制备钛及氮化钛薄膜均匀性研究

声明

第1 章绪论

1.1 氮化钛（TiN）薄膜的性能及其应用

1.2 TiN薄膜的制备方法

1.2.1 化学气相沉积（CVD）

1.2.2 物理气相沉积（PVD）

1.3 异型工件表面磁控溅射沉积制备薄膜均匀性研究

1.3.1 阴影效应

1.3.2 “阴影效应”的抑制

1.4 高功率脉冲磁控溅射对“阴影效应”的影响

1.4.1 高功率脉冲磁控溅射（HPPMS）

1.4.2 高功率脉冲磁控溅射对“阴影效应”的抑制

1.5 本文的研究目的与研究内容

第2 章研究设备及研究方法

2.1 研究设备

2.1.1 非平衡磁控溅射（UBMS）设备

2.1.2 高功率脉冲磁控溅射（HPPMS）电源系统

2.2 基体材料及预处理

2.3 分析测试方法

2.3.1 放电参数

2.3.2 等离子体组分

2.3.3 薄膜厚度及应力

2.3.4 薄膜硬度

2.3.5 薄膜晶体结构

2.3.6 薄膜横截面形貌

第3 章半球形工件内表面直流磁控溅射制备Ti 薄膜的“阴影效应”及薄膜均匀性研究

3.1 引言

3.2 半球形工件内表面Ti薄膜的制备

3.3 半球形工件内表面Ti薄膜结构及性能

3.3.1 平面样品上不同靶基距Ti薄膜的膜厚

3.3.2 半球形工件内表面Ti 薄膜的膜厚

3.3.3 半球形工件内部不同位置处Ti 薄膜的晶体结构

3.3.4 不同沉积时间半球形工件内表面不同位置处Ti 薄膜的横截面形貌

3.4 本章小结

第4 章不同工作气压下高功率脉冲磁控溅射技术制备TiN薄膜均匀性研究

4.1 引言

4.2半球形工件内表面HPPMS制备TiN薄膜

4.3气压对半球形工件内表面沉积薄膜均匀性的影响

4.3.1 靶材放电特性

4.3.2 等离子体组分分析

4.3.3 半球形工件内表面不同位置TiN薄膜厚度及应力

4.3.4 半球形工件内表面不同位置TiN薄膜晶体结构

4.3.5 半球形工件内表面不同位置TiN薄膜横截面形貌

4.3.6 半球形工件内表面不同位置TiN 薄膜硬度

4.4 本章小结

研究展望

全文结论

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间发表的论文及科研成果