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致谢
第一章绪论
1.1宽禁带半导体ZnO概论
1.2 ZnO的晶体结构
1.3 ZnO电学性质
1.4 ZnO发光性质
1.4.1 ZnO紫外发光性质
1.4.2 ZnO可见光发光性质
1.5 ZnO的杂质
1.5.1本征杂质的种类
1.5.2 n-ZnO中的主要受主缺陷
1.5.3故意掺杂引入的缺陷
1.6 ZnO薄膜的生长
1.6.1衬底的选择
1.6.2 ZnO薄膜的生长技术
1.7本论文的研究内容和意义
参考文献
第二章CVD方法ZnO颗粒膜生长及其紫外发光特性的研究
2.1引言
2.2 ZnO薄膜水汽外延装置的搭建与改进
2.3 CVD法制备ZnO薄膜的工艺流程
2.4样品的测试和分析
2.5实验结果以及讨论
2.5.1 ZnO多晶颗粒膜的晶格结构和形貌
2.5.2 ZnO多晶颗粒膜光致发光研究
2.5.3 ZnO多晶颗粒膜低温PL光谱
2.5.4 ZnO多晶颗粒膜室温阴极射线荧光谱(CL)以及微区阴极射线荧光发射图
2.5.5 ZnO多晶粉末样品的紫外发光分析
2.6本章小结
参考文献
第三章总结
攻读硕士学位期间发表论文
