偏移场板和场限环终端结构设计方法的研究

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第1章绪论

1.1电力电子器件简介

1.2电力电子技术发展对器件的要求

1.3结终端对击穿电压的影响

1.4本课题研究的主要内容和意义

1.5本章小结

第2章终端技术简介

2.1斜角终端技术

2.2刻蚀曲面终端

2.3结终端扩展技术

2.4场板技术

2.4.1金属场板

2.4.2阻性场板

2.5场限环技术

2.6本章小结

第3章场限环设计方法简介

3.1分步穷举法

3.2局部电离积分法

3.2.1单场限环终端的模拟

3.2.2单环到多环终端技术的推广

3.2.3局部电离积分法优缺点

3.3双曲线法

3.3.1方法的提出

3.3.2单场限环模型

3.3.3场限环优化设计

3.3.4场限环优化设计实例

3.3.5对本方法合理性的验证

3.3.6本方法的适用性

3.4本方法优缺点

3.5本章小结

第4章场限环设计方法比较

4.1对局部电离积分法的仿真研究

4.2优化设计的判据

4.3芯片面积的比较

4.4击穿电压的比较

4.5计算时间的比较

4.6抗电荷能力的比较

4.7可推广性比较

4.8本章小结

第5章偏移场板结构的研究

5.1界面电荷对击穿电压的影响

5.2界面电荷对场限环终端优化结构的影响

5.3偏移场板结构的设计

5.3.1模型的建立

5.3.2场板长度的确定

5.3.3界面电荷对偏移场板结构的影响

5.3.4偏移场板结构的改进

5.4本章小结

结论

参考文献

致谢