California Institute of Technology.;
机译:沉积后退火温度对通过热线化学气相沉积制备的氮化硅电介质多层膜中嵌入的硅量子点的影响
机译:六甲基二硅氮烷热线化学气相沉积法制备氢化非晶硅碳氮化物膜
机译:通过热线化学气相沉积法低温沉积结晶氮化硅纳米粒子
机译:通过热线化学气相沉积沉积的高氢含量氮化硅,用于光伏应用
机译:通过热线化学气相沉积法在薄膜光伏应用中合成大晶粒多晶硅。
机译:射频等离子体增强化学气相沉积(RF PECVD)反应器中样品高度对氮化硅薄膜光学性能和沉积速率的影响
机译:用于光伏的硅和氮化硅的热线化学气相沉积:实验,模拟和应用
机译:衬底温度和氢稀释比对热线化学气相沉积法生长纳米硅薄膜性能的影响