沉积温度及热处理对低压化学气相沉积氮化硅涂层的影响

廖春景; 董绍明; 靳喜海; 胡建宝; 张翔宇; 吴惠霞

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沉积温度及热处理对低压化学气相沉积氮化硅涂层的影响

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cqvip:以SiCl4-NH3-H2为前驱体,在750~1250℃范围内通过低压化学气相沉积技术于碳纤维布上制备氮化硅涂层,系统研究了沉积温度对氮化硅涂层的生长动力学、形貌、化学组成和结合态的影响。研究结果表明,在沉积温度低于1050℃的情况下,随着沉积温度的升高,沉积速率单调增大。而当沉积温度高于1050℃时,沉积速率随温度升高逐渐下降。在整个沉积温度范围内,随着沉积温度的升高,涂层表面形态逐渐向菜花状转变,同时涂层表面变得愈加粗糙。涂层的最佳沉积温度在750~950℃之间。随着沉积温度的升高,涂层中氮含量先降低后升高,而硅含量不断增加,氧含量在整个温度范围内逐渐降低。原始沉积涂层均呈无定形态,经高于1300℃热处理后实现晶化,并伴随着表面形貌的显著变化。此时涂层仅由a-Si3N4构成,不存在任何b-Si3N4相。

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来源
《无机材料学报》 |2019年第11期|1231-1237|共7页
作者
廖春景; 董绍明; 靳喜海; 胡建宝; 张翔宇; 吴惠霞;
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作者单位

上海师范大学化学与材料科学学院上海 200234;

中国科学院上海硅酸盐研究所结构陶瓷与复合材料工程研究中心上海 200050;

中国科学院大学北京 100049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类陶瓷工业;
关键词
氮化硅涂层; 生长动力学; 沉积温度; 化学组成; 热处理;

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