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温度对化学气相沉积碳化硅涂层的影响

         

摘要

以三氯甲基硅烷和氢气为气源,研究了化学气相沉积碳化硅过程中,温度(850-1350 ℃)对沉积速率、反应物消耗效应、涂层形貌和相结构的影响.用磁悬浮天平在线实时称量基体质量变化进行动力学研究;采用扫描电镜和X射线衍射对样品做了表征.结果表明,沉积过程存在四个控制机理:a区(<1000℃)为表面反应动力学控制;b区(1000-1050 ℃)主要是HCl对沉积的抑制作用;c区(1050-1300 ℃)是表面化学反应和传质共同控制;d(>1300℃)为传质为限速步骤.由于不同的控制机制,导致所得涂层的形貌存在差异.含碳含硅中间物质浓度的减小、HCl增多和MTS的分解共同导致反应物消耗效应.涂层由热解碳和碳化硅两相组成,温度的升高使热解碳相减少,碳硅比接近1.

著录项

  • 来源
    《材料科学与工艺》 |2010年第4期|575-578,583|共5页
  • 作者单位

    西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;

    榆林学院化工化学系,榆林,719000;

    西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;

    西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;

    西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;

    西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 合成树脂与塑料工业;
  • 关键词

    控制机理; 碳化硅; 化学气相沉积;

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