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III-phosphide semiconductor self-assembled quantum dots grown by metallorganic chemical vapor deposition.

机译：通过金属有机化学气相沉积法生长的III型磷化物半导体自组装量子点。

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摘要

III-V semiconductor self-assembled quantum dot research has been actively performed to fully “exploit quantum effects in heterostructure semiconductor lasers to produce wavelength tunability and achieve lower lasing threshold via the change in the density of states which results from reducing the number of translational degree of freedom of the carriers” [Dingle, R. and Henry C. H., U.S. Patent 3,982,207 (1976)]. Especially, III-Phosphide semiconductor self-assembled quantum dot heterostructures have the potential to realize lasers operating in visible light spectral regions with improved performance characteristics. This dissertation describes and discusses the growth, characterization, and laser devices of III-Phosphide self-assembled quantum-dot heterostructures. The semiconductor heterostructures including self-assembled quantum dots in this work are epitaxially grown by metalorganic chemical vapor deposition and their structural, electrical, and optical properties are characterized by atomic force microscopy, X-ray diffraction, photoluminescence, optical, scanning, and transmission electron microscopy techniques, and ballistic electron emission microscopy to optimize the growth conditions of the layers and the structures used for laser devices. Laser operation at 300 K and 77 K from III-Phosphide quantum-dot heterostructures are demonstrated.
机译：已经积极进行III-V半导体自组装量子点研究，以“充分利用”斜体结构中的量子信号，利用异质结半导体激光器产生波长可调谐性，并通过改变状态密度来达到较低的激光阈值，从而实现了减少载体的平移自由度的数量” [Dingle，R。and Henry CH，美国专利3,982,207（1976）]。特别地，III-磷化物半导体自组装量子点异质结构具有实现具有改善的性能特性的在可见光谱区域中操作的激光器的潜力。本文描述并讨论了III族磷化物自组装量子点异质结构的生长，表征和激光器件。通过有机金属化学气相沉积外延生长包括自组装量子点在内的半导体异质结构，并通过原子力显微镜，X射线衍射，光致发光，光学，扫描和透射电子表征其结构，电学和光学性质。显微镜技术和弹道电子发射显微镜，以优化用于激光器件的层和结构的生长条件。展示了III-磷量子点异质结构在300 K和77 K上的激光操作。

著录项

  • 作者

    Ryou, Jae-Hyun.;

  • 作者单位

    The University of Texas at Austin.;

  • 授予单位 The University of Texas at Austin.;
  • 学科 Engineering Materials Science.; Engineering Electronics and Electrical.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2001
  • 页码 160 p.
  • 总页数 160
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;无线电电子学、电信技术;
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