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首页> 外文学位 >A universal species ion implantation model for implants into topographically complex structures with multiple materials.
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A universal species ion implantation model for implants into topographically complex structures with multiple materials.

机译：一种通用物种离子注入模型，用于使用多种材料将其注入地形复杂的结构中。

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摘要

A physically-based model for ion implantation of any species into single crystal silicon and a few amorphous materials has been developed, tested and implemented in ion implant simulator UT-MARLOWE. In this model, an interpolation scheme, based on mathematical properties of ion-target interatomic potential, was employed and implemented to calculate the scattering process. Using this scheme, the resulting energy, direction and momentum of the ion and target can be derived from the existing scattering tables of UT-MARLOWE without calculating the whole scattering process. The method has advantages in both accuracy and computational efficiency, as well as significantly reduced cost of code development. The impurity profiles and damage profiles predicted by the model simulations have been compared with SIMS and RBS, and excellent agreement with experimental data has been achieved.
机译：在离子注入模拟器UT-MARLOWE中开发，测试并实现了一种基于物理的模型，该模型可以将任何种类的离子注入到单晶硅和一些非晶态材料中。在该模型中，基于离子目标原子间电势的数学特性，采用并实施了插值方案来计算散射过程。使用此方案，可以从UT-MARLOWE的现有散射表中得出离子和目标的最终能量，方向和动量，而无需计算整个散射过程。该方法在准确性和计算效率上均具有优势，并且显着降低了代码开发成本。通过模型模拟预测的杂质分布和损伤分布已与SIMS和RBS进行了比较，并与实验数据取得了很好的一致性。

著录项

  • 作者

    Chen, Yang.;

  • 作者单位

    The University of Texas at Austin.;

  • 授予单位 The University of Texas at Austin.;
  • 学科 Engineering Electronics and Electrical.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2001
  • 页码 94 p.
  • 总页数 94
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 无线电电子学、电信技术;
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