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Chemical modification of silicon surfaces for shallow doping and growth of thin films.

机译：硅表面的化学改性，用于浅掺杂和薄膜生长。

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摘要

Silicon remains the most important material for a host of applications including electronics, sensors, and even energy. Consequently, the modification of its surfaces and the ability to integrate other materials by thin film deposition are important. This proposal addresses two specific issues to help control these important processes. The first is the grafting of organic molecules and the subsequent use of these self-assembled monolayers to attempt to obtain shallow doping in silicon. This constitutes a novel approach that needs to be demonstrated and tested. The second is the deposition (or growth) of molybdenum nitride and molybdenum oxide films and the understanding of the mechanism behind that growth. There appears to be an urgent need in the industrial community for such films, given the versatility and the wide range of applications this compounds can provide. This work addresses the growth and characterization of these films, working closely with precursor providers to achieve this goal.
机译：硅仍然是包括电子，传感器甚至能源在内的许多应用中最重要的材料。因此，其表面的改性以及通过薄膜沉积整合其他材料的能力很重要。该提案解决了两个特定问题，以帮助控制这些重要过程。首先是接枝有机分子，然后使用这些自组装的单分子层试图在硅中获得浅掺杂。这构成了需要证明和测试的新颖方法。第二个是氮化钼和氧化钼膜的沉积（或生长）以及对该生长背后的机理的理解。鉴于这种化合物的多功能性和广泛的应用范围，在工业界似乎迫切需要这种薄膜。这项工作解决了这些电影的成长和特征，并与先驱提供者紧密合作以实现这一目标。

著录项

  • 作者

    Vega Zendejas, Abraham.;

  • 作者单位

    The University of Texas at Dallas.;

  • 授予单位 The University of Texas at Dallas.;
  • 学科 Materials science.;Engineering.;Physical chemistry.
  • 学位 Ph.D.
  • 年度 2016
  • 页码 107 p.
  • 总页数 107
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 康复医学;
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