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Compensation of extreme ultraviolet lithography image field edge effects through optical proximity correction.

机译：通过光学邻近校正来补偿极紫外光刻图像场边缘效应。

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摘要

For EUVL to be enabled for HVM, the printing of densely spaced die must be allowed. To achieve this requirement, a mitigation strategy to compensate for field edge effects is vital. This study has two goals. First, we will show that field edge effects can be modeled for reticles with an absorber border and for those with an etched ML border. The second is to investigate the limitations that exist when compensating for field edge effects with OPC, including image quality, REMA blade stability and OoB variability. This thesis shows that for different reticles different mitigation strategies are required in order to enable EUV HVM.
机译：为了使EUVL能够用于HVM，必须允许打印密集间距的芯片。为了达到这一要求，必须采用缓解策略来补偿场边缘效应。这项研究有两个目标。首先，我们将说明可以为具有吸收体边界的掩模版和具有蚀刻ML边界的掩模版建模场边缘效应。第二个是研究使用OPC补偿场边缘效应时存在的局限性，包括图像质量，REMA叶片稳定性和OoB可变性。本文表明，对于不同的标线，需要不同的缓解策略才能启用EUV HVM。

著录项

  • 作者

    Maloney, Chris.;

  • 作者单位

    Rochester Institute of Technology.;

  • 授予单位 Rochester Institute of Technology.;
  • 学科 Engineering.;Nanoscience.;Nanotechnology.
  • 学位 M.S.
  • 年度 2014
  • 页码 89 p.
  • 总页数 89
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 公共建筑;
  • 关键词

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