University of California Santa Barbara;
机译:碳化硅上生长的毫瓦功率深紫外发光二极管
机译:在6H-SiC(0001)衬底上生长和制造基于AlGaN的紫外发光二极管以及载流子阻挡层对其发射特性的影响
机译:模拟具有碳化硅衬底的发光二极管的光提取和光传播特性
机译:具有图案蓝宝石衬底的AlGaN基深紫外和中紫外倒装芯片发光二极管的光提取效率比较研究
机译:蓝宝石上准晶和准准晶AlGaN基深紫外发光二极管的设计,制造和表征
机译:图案硅衬底上生长的高外部量子效率基于AlGaN的深紫外发光二极管的生长与制备
机译:具有纳米级厚的Aln成核层对基于Algan的深紫外发光二极管的纳米级厚的Aln成核膜的高质量和无裂缝Aln膜的异质生长