Rochester Institute of Technology.;
机译:a-IGZO-TFT双有源层的有源层厚度和界面的仿真研究
机译:a-IGZO-TFT双有源层的有源层厚度和界面的仿真研究
机译:通过蚀刻刻蚀纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:自组装单层膜(SAIVl)对a-IGZO TFT背面的影响。
机译:金红石型二氧化钛(110)-水界面的双电层结构的原子尺度X射线研究。
机译:通过刻蚀停止层纳米层的清洁界面工艺增强a-IGZO TFT器件的性能
机译:通过蚀刻停止纳米层使用清洁接口处理来增强A-IGZO TFT器件性能
机译:屏蔽优化程序:第6部分。使用pUFF-TFT代码,杂质层对铍靶对单能X射线的水动力响应的影响