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1.
Pr_3Si_6N_11/Si_3N_4 Stacked High-k Gate Dielectrics with High Quality Ultrathin Si_3N_4 Interfacial Layers
机译:
具有高质量超薄Si_3N_4界面层的Pr_3Si_6N_11 / Si_3N_4堆叠式高k栅极电介质
作者:
Tadahiro Ohmi
;
Hidetoshi Wakamatsu
;
Akinobu Teramoto
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
2.
Single-Digit Nanofabrication Routes for Tailoring and Assembling Graphene into Functional Nanotructures and Devices
机译:
用于将石墨烯定制和组装为功能性纳米结构和器件的单位纳米制造途径
作者:
Xiaogan Liang
;
Deirdre L. Olynick
;
Stefano Cabrini
;
Jeffrey Bokor
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
3.
Sub-atmospheric Chemical Vapor Deposition of SiOj for Dielectric Layers in High Aspect Ratio TSVs
机译:
高纵横比TSV中介电层SiOj的低于大气压化学气相沉积
作者:
Marco Lisker
;
Steffen Marschmeyer
;
Mehmet Kaynak
;
Ibrahim Tekin
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
4.
Room Temperature Copper Seed Layer Deposition by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition
机译:
等离子增强原子层沉积在室温下沉积铜种子层
作者:
J. Mao
;
E. Eisenbraun
;
V. Omarjee
;
A. Korolev
;
C. Dussarrat
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
5.
Progress, Opportunities and Challenges for Beyond CMOS Information Processing Technologies
机译:
CMOS信息处理技术以外的进步,机遇和挑战
作者:
George Bourianoff
;
Dmitri E. Nikonov
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
6.
Evaluation of Very High Resolution Multi-Wavelength Raman Spectroscopy for In-Line Characterization of Patterned Epitaxial Si_1-xGe_x Layers on Si(100) Wafers
机译:
Si(100)晶片上的图案化外延Si_1-xGe_x层的在线表征的超高分辨率多波长拉曼光谱评估
作者:
Victor Vartanian
;
Takeshi Ueda
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
7.
Site-specific and High-spatial-resolution Scanning Spreading Resistance Microscopy and Its Applications in Si Technology
机译:
特定位置和高空间分辨率扫描扩展电阻显微镜及其在硅技术中的应用
作者:
L. Zhang
;
M. Koike
;
S. Takeno
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
8.
Impact of Stacked AlON/SiO2 Gate Dielectrics for SiC Power Devices
机译:
堆叠式AlON / SiO2栅极电介质对SiC功率器件的影响
作者:
H. Watanabe
;
T. Kirino
;
Y. Uenishi
;
A. Chanthaphan
;
A. Yoshigoe
;
Y. Teraoka
;
S. Mitani
;
Y. Nakano
;
T. Nakamura
;
T. Hosoi
;
T. Shimura
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
9.
Fabrication and Electrical Characterization of High-k LaGdO_3 Thin Films and Field Effect Transistors
机译:
高k LaGdO_3薄膜和场效应晶体管的制备和电学表征
作者:
S.P. Pavunny
;
R. Thomas
;
T.S. Kalkur
;
J. Schubert
;
E.Fachini
;
R.S. Katiyar
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
10.
Material and Electrical Properties of Hole-Trapping Memory Capacitors Composed of nc-ITO Embedded ZrHfO High-k Films
机译:
nc-ITO嵌入式ZrHfO高k膜构成的空穴陷阱存储电容器的材料和电性能
作者:
Chen-Han Lin
;
Yue Kuo
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
11.
Vanadium Dioxide as a Memory Material
机译:
二氧化钒作为存储材料
作者:
I. P. Radu
;
K. Martens
;
S. Mertens
;
C. Adelmann
;
X. Shi
;
H. Tielens
;
M. Schaekers
;
G. Pourtois
;
S. Van Elshocht
;
S. De Gendr
;
M. Heyns
;
J. A. Kittl
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
12.
Effects of Metal Layer Insertion on EOT scalingin TiN/Metal/La_2O_3Si High-k Gate Stacks
机译:
TiN /金属/ La_2O_3Si高k栅堆叠中金属层插入对EOT结垢的影响
作者:
P. Ahmet
;
D. Kitayama
;
T. Kaneda
;
T. Suzuki
;
T. Koyanagi
;
M. Kouda
;
M. Mamatrishat
;
T. Kawanago
;
K. Kakushima
;
K. Tsutsui
;
A. Nishiyama
;
N. Sugii
;
K. Natori
;
T. Hattori
;
H. Iwai
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
13.
Investigation of Indium Diffusion into Solution-processed Oxide TFTs with ZTO Active Layer and IZO Source/Drain Electrodes
机译:
具有ZTO有源层和IZO源/漏电极的溶液处理氧化物TFT中铟的扩散研究
作者:
Yong-Jin Kim
;
Jeong-Soo Lee
;
Yong-Uk Lee
;
Seung-Hwan Cho
;
Yong-Hoon Kim
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
14.
Formation of ordered silicon nano-textures suitable for field emission applications
机译:
适用于场发射应用的有序硅纳米结构的形成
作者:
H. Malekpour
;
M. Mehran
;
S. Mohajerzadeh
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
15.
The Effect of Self Assembled Monolayer(SAIVl)on the Back Interface of a-IGZO TFT.
机译:
自组装单层膜(SAIVl)对a-IGZO TFT背面的影响。
作者:
Seung-Hwan Cho
;
Yong-Uk Lee
;
Jeong-Soo Lee
;
Kang-Moon Jo
;
Do-Hwan Kim
;
Bo-Sung Kim
;
Min-Koo Han
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
16.
Germanium Fin Structure Optimization for Future MugFET and FinFET Applications
机译:
针对未来MugFET和FinFET应用的锗鳍片结构优化
作者:
M. Shayesteh
;
R. Duffy
;
B. McCarthy
;
A. Blake
;
M. White
;
J. Scully
;
R. Yu
;
V. Djara
;
M. Schmidt
;
N. Petkov
;
A. -M. Kelleher
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
17.
CMOS MEMS Integration
机译:
CMOS MEMS集成
作者:
G. K. Fedder
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
18.
3D Integration in Silicon Technology
机译:
硅技术中的3D集成
作者:
Mukta G. Farooq
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
19.
Enhanced data retention characteristic on SOHOS-type nonvolatile flash memory with CF4-plasma-induced deep electron trap level
机译:
CF4等离子体诱导的深电子陷阱能级提高了SOHOS型非易失性闪存的数据保留特性
作者:
Chih-Ren Hsieh
;
Yung-Yu Chen
;
Wen-Shin Lin
;
Gray Lin
;
Jen-Chung Lou
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
20.
Green Laser Crystallization of GeSi thin Films and Dopant Activation
机译:
GeSi薄膜的绿色激光结晶和掺杂剂活化
作者:
Balaji Rangarajan
;
Ihor Brunets
;
Peter Oesterlin
;
Alexey Y. Kovalgin
;
Jurriaan Schmitz
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
21.
Nanobonding for Multi-Junction Solar Cells at Room Temperature
机译:
室温下多结太阳能电池的纳米键合
作者:
T. Yu
;
M. M. R. Howlader
;
F. Zhang
;
M. Bakr
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
22.
Recent Developments in Ion Implantation
机译:
离子注入的最新发展
作者:
Anthony Renau
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
23.
Problems Of N-type Doped Regions In Germanium, Their Solutions, And How To Beat The ITRS Roadmap
机译:
锗中N型掺杂区域的问题,解决方案以及如何克服ITRS路线图
作者:
R. Duffy
;
M. Shayesteh
;
M. White
;
J. Kearney
;
A. -M. Kelleher
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
24.
Si CMOS Contacts to II1-V Materials for Monolithic Integration of III-V and Si Devices
机译:
用于III-V和Si器件单片集成的II1-V材料的Si CMOS触点
作者:
N. Y. Pacella
;
M. T. Bulsara
;
E. A. Fitzgerald
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
25.
Comparison of Boron Diffusion in Silicon During the Formation of Shallow p+ Junction with KrF and Green Laser Annealing
机译:
KrF和绿色激光退火对浅p + / n结形成过程中硅中硼扩散的比较
作者:
S. R. Aid
;
S. Matsumoto
;
G. Fuse
;
S. Sakuragi
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
26.
Stress Characterization of Tungsten-filled Through Silicon Via Arrays using Very High Resolution Multi-Wavelength Raman Spectroscopy
机译:
使用超高分辨率多波长拉曼光谱技术对钨填充硅通孔阵列进行应力表征
作者:
Jeff Gambino
;
Daniel Vanslette
;
Bucknell Webb
;
Cameron Luce
;
Takeshi Ueda
;
Toshikazu Ishigaki
;
Kitaek Kang
;
Woo Sik Yoo
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
27.
Direct Copper Electrochemical Deposition on Ru-based Substratesfor Advanced Interconnects Target 30 nm and 'A Pitch Lines:From Coupon to Full-Wafer Experiments
机译:
用于高级互连的Ru基基板上的直接铜电化学沉积目标为30 nm和'A节距线:从优惠券到全晶片实验
作者:
S. Armini
;
S. Demuynck
;
Z. El-Mekki
;
J. Swerts
;
M. Nagar
;
A. Radisic
;
N. Heylen
;
G. Beyer
;
L. Leunissen
;
P. M. Vereecken
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
28.
Potential of a Sensitive Silicon Mechanical Stress Sensor Based on a Change in Gate-induced-drain Leakage Current
机译:
基于栅极感应漏极泄漏电流变化的灵敏硅机械应力传感器的电势
作者:
W.S. Lau
;
Peizhen Yang
;
V. Ho
;
S.Y. Siah
;
L. Chan
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
29.
High Rate Copper Isotropic Wet Chemical Etching
机译:
高速率各向同性铜湿法化学蚀刻
作者:
Steven T. Mayer
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
30.
Advances in Si Ge Millisecond Processing: From SOI to Superconductivity and Carrier-mediated Ferromagnetism
机译:
硅和锗毫秒处理技术的发展:从SOI到超导性和载流子介导的铁磁性
作者:
Wolfgang Skorupa
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
|
2011年
31.
3D MOSCAP Vehicle for Electrical Characterization of Sidewall Dielectrics for 3D Monolithic Integration
机译:
用于3D单片集成的侧壁介电层电气特性的3D MOSCAP车辆
作者:
B. Wood
;
B. McDougall
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A. Dent
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P. Xu
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M.-P. Cai
;
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A. Noori
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M. Shek
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会议名称:
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2011年
32.
Edge Bonding Void Free Low Temperature Oxide-Oxide Direct Bonding Process.
机译:
边缘键合无空隙的低温氧化物-氧化物直接键合工艺。
作者:
A. Castex
;
M. Broekaart
;
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;
K. Landry
;
R. Fontaniere
;
C. Lagahe
会议名称:
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2011年
33.
Die/wafer Sub-micron Alignment Strategies for Semiconductor Device Integration
机译:
半导体器件集成的芯片/晶圆亚微米对准策略
作者:
Lauren E. Shea-Rohwer
;
James E. Martin
;
Dahwey Chu
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
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2011年
34.
Band-Edge Effective Work Functions by Controlling HfO/TiN Interfacial Composition for Gate-Last CMOS
机译:
通过控制前栅极CMOS的HfO / TiN界面组成实现边沿有效功函数
作者:
C. L. Hinkle
;
R. V. Galatage
;
R. A. Chapman
;
E. M. Vogel
;
H. N. Alshareef
;
C. Freeman
;
E. Wimmer
;
H. Niimi
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A. Li-Fatou
;
J. J. Chambers
;
J. B. Shaw
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
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2011年
35.
Improvement on Electrical Characteristics of HfO_2 MIS Capacitor with Dual Plasma Treatment
机译:
双重等离子体处理改善HfO_2 MIS电容器的电气特性
作者:
Kow-Ming Chang
;
Ting-Chia Chang
;
Hshu-Wei Chen
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
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2011年
36.
MEMS on LSI
机译:
LSI上的MEMS
作者:
M.Esashi
;
S.Tanaka
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
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2011年
37.
Effect of HfO_2 Crystallinity on Device Characteristics and Reliability for ReRAM
机译:
HfO_2结晶度对ReRAM器件特性和可靠性的影响
作者:
J. Y. Kim
;
M. S. Joo
;
J. H. Yoo
;
T. O. Youn
;
S. J. Kim
;
W. G. Kim
;
J. N. Kim
;
J. S. Roh
;
S. K. Park
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
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2011年
38.
Catalytic CVD growth of nanomaterials for advanced interconnects: Si nanowires and few Graphene layers/Carbon-Nanotubes composites
机译:
用于高级互连的纳米材料的催化CVD生长:Si纳米线和少量石墨烯层/碳纳米管复合材料
作者:
V. Jousseaume
;
V.T. Renard
会议名称:
《Silicon compatible materials, processes, and technologies for advanced integrated circuits and emerging applications》
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2011年
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