Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research Development Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
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Advanced LSI Technology Laboratory, Corporate Research Development Center, Toshiba Corporation 1, Komukai-Toshiba-cho, Saiwai-ku, Kawasaki 212-8582, Japan;
机译:通过高灵敏度扫描扩展电阻显微镜(SSRM)对低掺杂区域进行全面的2D载流子分析,用于功率器件应用
机译:用于扫描扩散电阻显微镜应用的锗电纳米接触的综合模型
机译:使用扫描扩展电阻显微镜分析90 nm互补金属氧化物半导体技术中的二维掺杂分布
机译:特定于站点和高空间分辨率扫描抗扩散显微镜及其在SI技术的应用
机译:使用扫描扩展电阻显微镜对III-V型化合物半导体掺杂剂进行分析。
机译:结合数字图像处理技术的快速扫描方法作为扫描电子显微镜的标准采集模式
机译:评估扫描扩展电阻显微镜和扫描电容显微镜的分辨率极限
机译:半导体测量技术:用于双探针电阻(扩散电阻)和四探针电阻计算的计算机程序集合,REspaC。