Arizona State University;
Electron microscope; Light-emitting diodes; Nitride semiconductors; Wide bandgap;
机译:Ca _xCd _(1-x)O的结构,电子和光学性质及其从半金属到宽带隙半导体的转化
机译:氮化物基宽带隙半导体中载流子动力学和非平衡光子的光学研究
机译:通过第一原理计算Ultrawide Bandgap Perovskite半导体的电子和光学特性
机译:表征宽带隙半导体电子特性的非线性光学技术:Ⅲ族氮化物,SiC和金刚石
机译:罕见的氮化物半导体掺杂的罕见元素和过渡金属的生长,表征和发光和光学性质
机译:自洽混合函数计算:对氧化物半导体的结构电子和光学性质的影响
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日
机译:III-V氮化物宽带隙半导体的光学和电学特性。年报,1997年4月1日至1998年5月31日