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王惟彪;
无;
发光二极管; 微显示器; Ⅲ族氮化物宽; 带隙半导体;
机译:阳离子d态对Ⅲ族氮化物和Ⅱ氧化物宽带隙半导体结构和电子性能的影响
机译:III族氮化物宽带隙半导体的干法刻蚀
机译:基于宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体的高台面波导在电信波长应用中的制作
机译:表征宽带隙半导体电子特性的非线性光学技术:Ⅲ族氮化物,SiC和金刚石
机译:各向异性III族氮化物宽带隙半导体及其相关材料的光学表征。
机译:基于宽带隙半导体的同质结二极管中空穴的超注入
机译:宽带隙半导体(SiC和氮化物半导体)的光谱研究
机译:宽带隙III族氮化物中的掺杂机制
机译:基于氮化物的III-V族半导体器件及其制造方法,制造基于氮化物的III-V族半导体衬底的方法以及大量基于氮化物的III-V族半导体衬底
机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的方法,用于生长基于氮化物的Ⅲ-Ⅴ族复合半导体的基质光源单元,光源二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译:发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
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