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基于Be的宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及激光二极管研究

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摘要

宽带Ⅱ－Ⅵ族半导体材料中，铍（Ｂｅ）的硫属化物如ＢｅＴｅ、ＢｅＳｅ和ＢｅＳ与ＺｎＳｅ、ＺｎＳ和ＺｎＴｅ等相比，有较强的共价键性（晶格硬度增大）和大的堆垛层错能，而且与ＧａＡｓ有好的晶格匹配。因此认为ＺｎＳｅ基半导体材料中加入Ｂｅ对ＺｎＳｅ蓝绿激光二极管寿命将有明显改善。

著录项

来源
《光电子．激光》 |1999年第6期|584-588|共5页
作者
张吉英; 申德振; 范希武;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类元素半导体;半导体二极管;
关键词
铍; 激光二极管; 半导体材料;

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