University of Notre Dame;
机译:陡坡WSE2负电容场效应晶体管
机译:陡峭的亚阈值摆幅接近理论极限的完全固溶处理的底栅有机场效应晶体管
机译:方便地合成蝴蝶形比氏苯基及其在溶液加工有机场效应晶体管器件中的应用
机译:陡坡P型2D WSE2场效应晶体管,带van der WaaS触点和负电容
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:容易的p掺杂对双极WSe2场效应晶体管的电和光电特性的影响
机译:晶体管:界面微观结构对溶液加工共轭聚合物场效应晶体管电荷载流子的影响(ADV。Mater。11/2016)
机译:与ssC电路设计相关的辐射对结型场效应晶体管(JFETs),mOsFET和双极晶体管的影响。