University of Toronto (Canada).;
机译:完全集成的1.9 GHz CMOS低噪声放大器
机译:在90 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺中设计和实现5-6 GHz的1-V变压器磁反馈低噪声放大器(LNA)
机译:适用于UWB接收器的1V,6mA,3-6GHz BROADBAND0.18μmCMOS低噪声放大器
机译:SOI上的1V,1.9 GHz CDMA,CMOS低噪声放大器
机译:用于无线应用的CMOS RF低噪声放大器和混频器的设计。
机译:具有CMOS放大器芯片的温度补偿单晶绝缘硅(SOI)MEMS振荡器
机译:完全集成的1.9GHz CMOS低噪声放大器