A fully integrated 1.9-GHz CMOS low-noise amplifier

Cheon Soo Kim; Min Park

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A fully integrated 1.9-GHz CMOS low-noise amplifier

机译：完全集成的1.9 GHz CMOS低噪声放大器

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A fully integrated 1.9 GHz CMOS low-noise amplifer (LNA) has been implemented in a 0.8 /spl mu/m CMOS technology. For low-noise performance, the amplifier employs high-quality spiral inductors with a duality factor of 8.5-12.5, and device layout and bias condition of the active devices were optimized for low-noise conditions. This amplifier showed a noise figure of 2.8 dB with a forward gain of 15 dB at current consumption of 15 mA. To the authors' knowledge, this represents the lowest noise figure reported to date for a fully integrated CMOS LNA operating at 1.9 GHz.

机译：完全集成的1.9 GHz CMOS低噪声放大器（LNA）已以0.8 / spl mu / m CMOS技术实现。为了实现低噪声性能，该放大器采用了对偶因数为8.5-12.5的高质量螺旋电感器，并且针对低噪声条件优化了有源器件的器件布局和偏置条件。在电流消耗为15 mA时，该放大器的噪声系数为2.8 dB，正向增益为15 dB。据作者所知，这代表了迄今报道的工作于1.9 GHz的完全集成CMOS LNA的最低噪声系数。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1998年第8期|P.293-295|共3页
作者
Cheon Soo Kim; Min Park;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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