A 2.4-GHz Fully Integrated ESD-Protected Low-Noise Amplifier in 130-nm PD SOI CMOS Technology

El Kaamouchi M.; Si Moussa M.; Delatte P.; Wybo G.; Bens A.; Raskin J.-P.; Vanhoenacker-Janvier D.

首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques >A 2.4-GHz Fully Integrated ESD-Protected Low-Noise Amplifier in 130-nm PD SOI CMOS Technology

【24h】

A 2.4-GHz Fully Integrated ESD-Protected Low-Noise Amplifier in 130-nm PD SOI CMOS Technology

机译：采用130nm PD SOI CMOS技术的2.4GHz完全集成ESD保护的低噪声放大器

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

This paper reviews and analyzes a fully integrated electrostatic discharge (ESD)-protected low-noise amplifier (LNA) for low-power and narrowband applications using a cascode inductive source degeneration topology, designed and fabricated in 130-nm CMOS silicon-on-insulator technology. The designed LNA shows 13-dB power gain at 2.4 GHz with a noise figure of 3.6 dB and input return loss of $-$13 dB for power consumption of 6.5 mW. An on-chip “plug-and-play” ESD protection strategy based on diodes and a power clamp is used at the input and output of the LNA, and has an ESD protection level up to 0.8-, 0.9-, and 1.4-A transmission line pulse current. This corresponds to 1.2-, 1.4-, and 2-kV human body model stress applied at, respectively, the RF input, RF output, and $V_{rm DD}$ bus. Measurement shows a minor RF performance degradation by adding the protection diodes.

机译：本文回顾并分析了采用级联电感源负反馈拓扑结构，在130nm CMOS绝缘体上硅芯片上设计和制造的，用于低功率和窄带应用的全集成静电放电（ESD）保护的低噪声放大器（LNA）。技术。设计的LNA在2.4 GHz时显示13 dB的功率增益，噪声系数为3.6 dB，对于6.5 mW的功耗，输入回波损耗为$-$ 13 dB。 LNA的输入和输出使用基于二极管和电源钳位的片上“即插即用” ESD保护策略，其ESD保护级别高达0.8-，0.9-和1.4-A传输线脉冲电流。这对应于分别在RF输入，RF输出和$ V_ {rm DD} $总线上施加的1.2、1.4和2 kV人体模型应力。测量表明，通过添加保护二极管，RF性能会略有下降。

著录项

来源
《IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques》 |2007年第12期|p.2822-2831|共10页
作者
El Kaamouchi M.; Si Moussa M.; Delatte P.; Wybo G.; Bens A.; Raskin J.-P.; Vanhoenacker-Janvier D.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;计量学;
关键词
CMOS; RF; electrostatic discharges (ESDs); low-noise amplifier (LNA); narrowband; partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI); transmission line pulse (TLP);

机译：CMOS;RF;静电放电（ESD）;低噪声放大器（LNA）;窄带;部分耗尽（PD）的绝缘体上硅（SOI）;传输线脉冲（TLP）;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A 1.2-V fully integrated 2.4-GHz low-noise amplifier in 0.35-μm CMOS technology [J] . C. C. Meng, M. H. Chiang, T. H. Wu Microwave and optical technology letters . 2003,第2期

机译：采用0.35μmCMOS技术的1.2V全集成式2.4GHz低噪声放大器
2. A 5-GHz fully integrated ESD-protected low-noise amplifier in 90-nm RF CMOS [J] . Linten D., Thijs S., Natarajan M.I., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2005,第7期

机译：具有90nm RF CMOS的5GHz完全集成ESD保护的低噪声放大器
3. A 2.4-GHz 24-dBm SOI CMOS Power Amplifier With Fully Integrated Reconfigurable Output Matching Network [J] . Carrara F., Presti C. D., Pappalardo F., Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on . 2009,第9期

机译：具有完全集成的可重新配置输出匹配网络的2.4GHz 24dBm SOI CMOS功率放大器
4. A 2.4-GHz Fully Integrated ESD-Protected Low-Noise Amplifier in 130-nm PD SOI CMOS Technology [C] . El Kaamouchi, M., Moussa, . 2007

机译：采用130nm PD SOI CMOS技术的2.4GHz完全集成ESD保护的低噪声放大器
5. Integrated inductor modeling and CMOS low-noise amplifiers for radio-frequency applications. [D] . Rafla, Ramez Atef Mikhail. 2001

机译：用于射频应用的集成电感器建模和CMOS低噪声放大器。
6. A 180-Vpp Integrated Linear Amplifier for Ultrasonic Imaging Applications in a High-Voltage CMOS SOI Technology [O] . Kexu Sun, Zheng Gao, Ping Gui, -1

机译：180Vpp集成线性放大器用于高压CMOS SOI技术中的超声成像应用
7. A 5-GHz fully integrated ESD-protected low-noise amplifier in 90-nm RF CMOS [O] . Dimitri Linten, Student Member, Steven Thijs, 2005

机译：采用90纳米RF CmOs的5 GHz全集成EsD保护低噪声放大器
8. 18-GHz, 10.9-dBm Fully-Integrated Power Amplifier with 23.5% PAE in 130-nm CMOS [R] . Cao, C. , Xu, H. , Su, Y. , 2005

机译：18 GHz，10.9 dBm全集成功率放大器，130 nm CmOs中具有23.5％paE

A 2.4-GHz Fully Integrated ESD-Protected Low-Noise Amplifier in 130-nm PD SOI CMOS Technology

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅