A Fully-Integrated 1.8-V, 2.8-W, 1.9-GHz, CMOS Power Amplifier

机译：完全集成的1.8-V，2.8-W，1.9-GHz，CMOS功率放大器

获取原文

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

This paper demonstrated the first 2-stage, 2.8 W, 1.8 V, 1.9 GHz fully-integrated DAT power amplifier with 50 Ω input and output matching using 0.18 μm CMOS transistors. It has a small-signal gain of 27 dB. The amplifier provides 2.8 W of power into a 50 Ω load with a PAE of 50%.

机译：本文演示了第2阶段，2.8W，1.8 V，1.9 GHz全集成的DAT功率放大器，其中50Ω输入和输出匹配，使用0.18μmCMOS晶体管。它具有27 dB的小信号增益。放大器将2.8W的功率提供为50Ω负载，PAE为50％。

著录项

来源
《IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium》|2003年||共4页
会议地点
作者
I. Aoki; S. Kee; D. Rutledge; Ali Hajimiri;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN45-53;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A Fully-Integrated High-Power Linear CMOS Power Amplifier With a Parallel-Series Combining Transformer [J] . Kim J., Kim W., Jeon H., Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2012,第3期

机译：具有并联串联组合变压器的全集成大功率线性CMOS功率放大器
2. Power-Combining Transformer Techniques for Fully-Integrated CMOS Power Amplifiers [J] . An K. H., Lee O., Kim H., IEEE Journal of Solid-State Circuits . 2008,第5期

机译：完全集成CMOS功率放大器的功率组合变压器技术
3. A 1.9-GHz silicon-on-insulator CMOS stacked-FET power amplifier with uniformly distributed voltage stresses [J] . Im Donggu, Kwon Kuduck, Lee In-Young International journal of circuit theory and applications . 2017,第11期

机译：具有均匀分布的电压应力的1.9 GHz绝缘体上硅CMOS堆叠式FET功率放大器
4. A Fully-Integrated 1.8-V, 2.8-W, 1.9-GHz, CMOS Power Amplifier [C] . I. Aoki, S. Kee, D. Rutledge, IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium . 2003

机译：完全集成的1.8-V，2.8-W，1.9-GHz，CMOS功率放大器
5. A 1-V, CMOS on SOI, 1.9-GHz CDMA low-noise amplifier [D] . Jin, Heng. 2000

机译：SOI，1.9GHz CDMA低噪声放大器的1-V，CMOS
6. 2.4 GHz CMOS Power Amplifier with Mode-Locking Structure to Enhance Gain [O] . Changhyun Lee, Changkun Park -1

机译：具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
7. A fully-integrated 1.8-V, 2.8-W, 1.9-GHz, CMOS power amplifier [O] . Aoki I., Kee S., Rutledge D., 2003

机译：完全集成的1.8V，2.8W，1.9GHz CMOS功率放大器
8. 18-GHz, 10.9-dBm Fully-Integrated Power Amplifier with 23.5% PAE in 130-nm CMOS [R] . Cao, C. , Xu, H. , Su, Y. , 2005

机译：18 GHz，10.9 dBm全集成功率放大器，130 nm CmOs中具有23.5％paE

A Fully-Integrated 1.8-V, 2.8-W, 1.9-GHz, CMOS Power Amplifier

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅