University of California Santa Barbara.;
机译:SIN钝化的N极GaN深凹部垫的W波段功率性能
机译:N极GaN-On-Sapphire深凹槽,具有高W波段功率密度
机译:使用选择性蚀刻技术的深凹N-Polar GaN MIS-HEMT的射频性能,无需异位表面钝化
机译:使用基于Al
机译:N极GaN MM波功率晶体管的表征,建模和设计
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:alInN / GaN HEmT的电学性能。与具有相似工艺的alGaN / GaN HEmT的比较