六配位锇(Ⅳ)卟啉中的轴向配体效应

杨胜勇; 包子民; 李象远

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六配位锇(Ⅳ)卟啉中的轴向配体效应

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使用密度泛函理论和定性轨道分析方法研究了六配位锇(Ⅳ)卟啉络合物[Os(por)L2](L=CH3,OCH3,SCH3,SeCH3,Cl,Br,I)中不同的轴向配体对络合物的结构和磁性的影响.结果表明,不同性质的轴向配体对锇的两个eg轨道(即dxz和dyz)的影响不同,导致锇具有不同的电子组态:(1)当轴向配体为反位影响很强的CH3时,L-Os-L弯曲,这种弯曲导致dxz和dyz轨道能级分裂,整个络合物表现为弯曲抗磁;(2)当轴向配体为反位影响很弱的OCH3,SCH3,SeCH3以及卤素Cl,Br,I时,L-Os-L均保持线性,其中单面π供体性较强的SCH3,SeCH3,使得dxz和dyz轨道能级有较大的分裂,络合物呈线性抗磁;单面π供体性较弱的OCH3,其dxz和dyz轨道能级分裂较小,整个络合物呈线性顺磁;卤素则由于其双面π供体的等同性,使得它对dxz和dyz轨道的影响一样,其简并性仍得以保持,络合物也表现为线性顺磁.

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来源
《化学学报》 |2003年第7期|1025-1029|共5页
作者
杨胜勇; 包子民; 李象远;
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作者单位

四川大学化工学院;

成都;

610065;

四川大学化工学院;

成都;

610065;

四川大学化工学院;

成都;

610065;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学;
关键词
锇; 卟啉; 轴向配体效应; 密度泛函理论; 轨道相互作用;

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