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金属修饰半导体硅组成光电化学电池的研究

         

摘要

cqvip:本文以 n/n^+-Si 和 p/n^+-Si 为基底,通过铂、镍等金属膜表面修饰后组成光电化学电池,探讨了金属/n-Si 间的 Schottky 势垒对电池开路光电压的影响.研究了铂膜修饰电极的光电化学性能.用 p/n^+-Si 电极,在65mW·cm^(-2)的光照射下,最佳电池的输出参数是:开路光电压0.530 V,短路光电流47.6mA·cm^(-2),填充因子0.35,光电转换效率13.6%.连续照光75小时,电池性能基本稳定。

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