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刘静; 郑少华; 刘茵;
西安理工大学电子工程系;
HBT; Mextram模型; 参数提取; RF雪崩倍增效应; 碰撞电离;
机译:基于虚拟基板的硅锗异质结双极型晶体管的数值分析
机译:使用Mextram模型对双极型晶体管的畸变效应进行高级建模
机译:利用二维器件仿真器的硅锗(Si_(1x)Ge_x)双极型反型沟道场效应晶体管的模型生成
机译:硅场效应晶体管和硅锗异质结双极晶体管技术中的g m inf>增强型振荡器的比较
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:自组装的微键合锗/硅异质结光电二极管用于25 Gb / s高速光学互连
机译:在薄SOI衬底上具有Si / SiGeC pnp型异质结的双极型晶体管的研究与开发。
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:硅锗层中具有高锗浓度的双极结型晶体管及形成该双极结型晶体管的方法
机译:在硅-锗层中具有高锗浓度的双极结型晶体管和形成双极结型晶体管的方法
机译:在硅锗层中具有高锗浓度的双极结型晶体管和形成双极结型晶体管的方法
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