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李培; 贺朝会; 郭红霞; 张晋新; 魏佳男; 刘默寒;
西安交通大学核科学与技术学院;
西北核技术研究院;
西安电子科技大学空间科学与技术学院;
模拟集成电路国家重点实验室;
中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室;
锗硅异质结双极晶体管; 单粒子效应; 总剂量效应; 低剂量率辐射损伤增强效应; 电离总剂量/单粒子效应协同效应; 电离总剂量/位移损伤协同效应;
机译:硅锗BiCMOS技术中硅锗异质结双极晶体管性能下降的表征
机译:应变硅/应变硅锗异质结构中的硅锗互扩散及其对提高迁移率的金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:含锗锗硅化物金属源极和漏极的富锗应变硅锗线三栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的空穴迁移率和驱动电流增强
机译:硅场效应晶体管和硅锗异质结双极晶体管技术中的g m inf>增强型振荡器的比较
机译:硅锗异质结双极晶体管中的几何缩放和辐射效应。
机译:新型有机硅和硅的合成及其辐射防护活性。锗化合物
机译:80 MeV碳离子辐照效应高级200 GHz硅 - 锗异质结双极晶体管
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:硅锗基极和具有硅锗基极的异质结双极晶体管
机译:可用于卫星和其他与空间有关的应用中的多结太阳能电池,包括基板,太阳能电池,锗硅锡缓冲层,锗硅锡背面场层和锗硅锡窗口层
机译:具有自对准硅锗锗外基的异质结双极晶体管的结构和方法
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