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超深亚微米P+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

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本文深入研究了P+栅PMOSFET中的NBTI效应,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制:即由水分子参与的Si-SiO2界面处的电化学反应.最后从工艺的角度给出了减小和抑制NBTI效应的方法.

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来源
《电子学报》 |2003年第z1期|2063-2065|共3页
作者
郝跃; 韩晓亮; 刘红侠;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

西安电子科技大学微电子研究所,陕西,西安,710071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
NBTI效应; PMOSFET; 界面态; 正氧化层固定电荷;

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