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超深亚微米P^+栅PMOSFET中NBTI效应及其机理研究

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摘要

本文深入研究了P+ 栅PMOSFET中的NBTI效应 ,首先通过实验分析了NBTI应力后器件特性及典型参数的退化 ,基于这些实验结果提出了一种可能的NBTI效应发生机制 :即由水分子参与的Si SiO2 界面处的电化学反应 .

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来源
《电子学报》 |2003年第z1期|2063-2065|共3页
作者
郝跃; 韩晓亮; 刘红侠;
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作者单位

西安电子科技大学微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类可靠性及例行试验;金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
NBTI效应; PMOSFET; 界面态; 正氧化层固定电荷;

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