首页> 中文期刊> 《电子学报》 >线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究

线性余因子差分亚阈电压峰技术测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的研究

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文提出了用线性余因子差分亚阈电压峰测量电应力诱生MOSFET界面陷阱的新技术并进行了实验验证.详细介绍了该方法的基本原理和实验实现,得到了电应力诱生MOSFET界面陷阱和累积应力时间的关系.该方法具有普适性,可用于MOSFET的一般可靠性研究和寿命预测.

著录项

来源
《电子学报》 |2002年第8期|1108-1110|共3页
作者
何进; 张兴; 黄如; 王阳元;
展开▼
作者单位

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

美国加州大学BERKELEY分,校EECS系,美国加州,94720;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

北京大学微电子学研究所,北京,100871;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
MOS器件; 界面陷阱; 线性余因子差分法; 电应力效应;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 正向栅控二极管监测F- N电应力诱生的SOI- MOSFET界面陷阱(英文) [J] . 何进黄 ,爱华 ,张兴 . 半导体学报：英文版 . 2001,第8期
2. 新的正向栅控二极管技术分离热载流子应力诱生SOI NMOSFET界面陷阱和界面电荷的研究(英文) [J] . 何进 ,张兴 ,黄如 . 半导体学报：英文版 . 2002,第1期
3. 利用MOSFET亚阈I-V特性进行辐射感生界面陷阱的测量 [J] . 张正选 ,罗晋生 ,袁仁峰 . 电子学报 . 1999,第11期
4. 热载流子诱生MOSFET/SOI界面陷阱的正向栅控二极管技术表征 [J] . 何进 ,张兴 ,黄如 . 电子学报 . 2002,第002期
5. 用比例差分方法从NMOSFET输出特性提取界面陷阱密度(英文) [J] . 张贺秋 ,许铭真 ,谭长华 . 北京大学学报：自然科学版 . 2004,第3期
6. 正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOIMOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究 [C] . 黄爱华 . 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 . 2001
7. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO2界面附近陷阱俘获和1/f噪声相关性研究 [A] . 董媛 . 2015

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号