MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管

金仲和; 王跃林

首页> 中文期刊> 《电子学报》 >MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管

MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

金属诱导横向结晶技术制备的多晶硅薄膜具有晶粒尺寸大且不随薄膜厚度而减小的特点,本文根据这一特点提出利用超薄沟道结构提高薄膜晶体管性能.采用超薄结构后,成功地将金属诱导结晶薄膜晶体管的漏电降到10-13A/μm以下;开关比提高了近100倍达到3×107以上;场效应迁移率从普通结构晶体管的80cm2/Vs(NMOS)与51cm2/Vs(PMOS)分别提高到110cm2/Vs与68cm2/Vs;阈值及亚阈摆幅也有很大改善.文中还将金属诱导结晶与传统固相结晶所得薄膜晶体管的性能进行了比较,并对这些结果进行了讨论.

著录项

来源
《电子学报》 |2001年第8期|1068-1071|共4页
作者
金仲和; 王跃林;
展开▼
作者单位

浙江大学信息与电子工程学系,;

浙江大学信息与电子工程学系,;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类硅晶体管;
关键词
金属诱导结晶; 多晶硅; 薄膜晶体管;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 多晶硅超薄沟道薄膜晶体管研制(英文) [J] . 张盛东 ,韩汝琦 ,关旭东 . 半导体学报：英文版 . 2000,第4期
2. 沟道长度对IGZO薄膜晶体管性能的影响 [J] . 刘璐 ,高晓红 ,孟冰 . 电脑知识与技术 . 2021,第026期
3. H_2O_2氧化处理ZnO沟道层对薄膜晶体管性能的影响 [J] . 李博 ,高晓红 ,张文通 . 电脑知识与技术：学术版 . 2019,第4X期
4. 非对称双栅结构 a－Si：H 薄膜晶体管沟道电势统一模型 [J] . 秦剑 ,姚若河 . 华南理工大学学报（自然科学版） . 2016,第001期
5. 双沟道层对氮掺杂非晶氧化铟锌薄膜晶体管的影响 [J] . 王乃倩 ,张群 ,谢汉萍 . 无机材料学报 . 2016,第007期
6. 直流和交流溅射沟道材料对铟镓锌氧薄膜晶体管性能的影响 [C] . DENG Wei ,邓伟 ,XIAO Xiang . 2014中国平板显示学术会议 . 2014
7. 机械应力下多晶硅薄膜晶体管和负栅压偏置下非晶铟镓锌氧薄膜晶体管的可靠性研究 [A] . 徐思维 . 2016

MILC超薄沟道多晶硅薄膜晶体管

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅