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反应离子刻蚀工艺中的充电效应

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本文阐述了反应离子刻蚀(RIE)工艺过程中充电效应产生的机理,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的,推导了等离子体充电电流的表达式.并根据等离子体充电前后Qbd值的差异计算了等离子体充电过程中的隧穿电流密度.

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来源
《电子学报》 |2000年第11期|81-8367|共4页
作者
胡恒升; 张敏;
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作者单位

中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,上海,200233;

中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,上海,200233;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN405.98+3;
关键词
反应离子刻蚀; 等离子体不均匀; 充电效应;

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