薄膜亚微米CMOS/SOS工艺的开发及其器件的研制

张兴; 石涌泉; 黄敞

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本文较为详细地介绍了薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺技术的开发过程，薄膜亚微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ工艺主要包括双固相外延，双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、Ｈ２－Ｏ２合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术，利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜来微米ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件和门延迟时间仅为１７７ｐｓ的１９级ＣＭＯＳ／ＳＯＳ环形振荡器，与厚膜器件相比，薄膜全耗尺器件和电路的性能得到了明显的提高。

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来源
《电子学报》 |1995年第8期|24|共1页
作者
张兴; 石涌泉; 黄敞;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
薄膜; CMOS; SOS; 亚微米; 工艺; 开发;

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