低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型

黄流兴; 魏同立; 郑茳

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低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型

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本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下载流子冻析效应和浅能能补偿杂质隐阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型，对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与３００Ｋ和７７Ｋ下的实测结果进行了比较。

著录项

来源
《电子学报》 |1995年第8期|103|共1页
作者
黄流兴; 魏同立; 郑茳;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN322.8;
关键词
双极晶体管; 多晶硅发射极; 电流增益; 截止频率;

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