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孙安纳; 赵书鸾;
无;
机译:金属氧化物-硅结构中SiO_2薄膜应力引起的漏电流中引起随机电报噪声波动的缺陷的状态转变
机译:InGaN外延层中V坑周围形成环形准势阱引起的空间局部发光发射特性
机译:带有缓冲层的Si衬底上生长的AlGaN / GaN外延层中位错引起的表面坑的研究
机译:光学浅缺陷分析仪薄,应变硅锗外延层晶体缺陷的评价
机译:单晶硅中杂质的激子发射和热处理引起的缺陷的研究
机译:使用X射线布拉格衍射成像表征光伏应用中的单晶硅中的缺陷
机译:在阶梯式4H-siC衬底上生长的纤锌矿GaN外延层中的浅光学活性结构缺陷
机译:贵金属及其合金中的空位杂质原子相互作用:对杂质价的依赖性(1)。金属粉末中淬火缺陷的量热检测(2)。 Ii-Iv化合物和电光单晶的生长(3)
机译:识别硅单晶中的晶体缺陷包括照射单晶壳的表面并根据散射光识别硅非金属化合物晶体的排列
机译:在处理腔室中通过气相沉积在单晶硅的半导体晶片上沉积硅外延层的方法和装置
机译:检测单晶硅中的缺陷包括例如提供单晶硅样品,用镍,钯或铂污染样品,对污染的样品进行热处理,然后冷却样品
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