高k介质阶梯变宽度SOI LDMOS

著录项

• 来源
  《电子学报》 |2018年第7期|1781-1786|共6页
• 作者

  姚佳飞; 郭宇锋; 李曼; 王子轩; 胡善文; 夏天;

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• 作者单位

  南京邮电大学;

  江苏南京210003;

  射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;

  江苏南京210003;

  南京邮电大学;

  江苏南京210003;

  射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;

  江苏南京210003;

  南京邮电大学;

  江苏南京210003;

  射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;

  江苏南京210003;

  南京邮电大学;

  江苏南京210003;

  射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;

  江苏南京210003;

  南京邮电大学;

  江苏南京210003;

  射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室;

  江苏南京210003;

  佛蒙特大学;

  美国佛蒙特州05405;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 半导体二极管;
• 关键词

  阶梯变宽度; 高k介质; 击穿电压; 导通电阻; 绝缘体上硅;