掌桥科研
一站式科研服务平台
科技查新
收录引用
专题文献检索
外文数据库(机构版)
更多产品
首页
成为会员
我要充值
退出
我的积分:
中文会员
开通
中文文献批量获取
外文会员
开通
外文文献批量获取
我的订单
会员中心
我的包量
我的余额
登录/注册
文献导航
中文期刊
>
中文会议
>
中文学位
>
中国专利
>
外文期刊
>
外文会议
>
外文学位
>
外国专利
>
外文OA文献
>
外文科技报告
>
中文图书
>
外文图书
>
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
工业技术
基础科学
医药卫生
农业科学
教科文艺
经济财政
社会科学
哲学政法
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
自然科学总论
数学、物理、化学、力学
天文学、地球科学
生物科技
医学、药学、卫生
航空航天、军事
农林牧渔
机械、仪表工业
化工、能源
冶金矿业
电子学、通信
计算机、自动化
土木、建筑、水利
交通运输
轻工业技术
材料科学
电工技术
一般工业技术
环境科学、安全科学
图书馆学、情报学
社会科学
其他
美国国防部AD报告
美国能源部DE报告
美国航空航天局NASA报告
美国商务部PB报告
外军国防科技报告
美国国防部
美国参联会主席指示
美国海军
美国空军
美国陆军
美国海军陆战队
美国国防技术信息中心(DTIC)
美军标
美国航空航天局(NASA)
战略与国际研究中心
美国国土安全数字图书馆
美国科学研究出版社
兰德公司
美国政府问责局
香港科技大学图书馆
美国海军研究生院图书馆
OALIB数据库
在线学术档案数据库
数字空间系统
剑桥大学机构知识库
欧洲核子研究中心机构库
美国密西根大学论文库
美国政府出版局(GPO)
加利福尼亚大学数字图书馆
美国国家学术出版社
美国国防大学出版社
美国能源部文献库
美国国防高级研究计划局
美国陆军协会
美国陆军研究实验室
英国空军
美国国家科学基金会
美国战略与国际研究中心-导弹威胁网
美国科学与国际安全研究所
法国国际关系战略研究院
法国国际关系研究所
国际宇航联合会
美国防务日报
国会研究处
美国海运司令部
北约
盟军快速反应部队
北约浅水行动卓越中心
北约盟军地面部队司令部
北约通信信息局
北约稳定政策卓越中心
美国国会研究服务处
美国国防预算办公室
美国陆军技术手册
一般OA
科技期刊论文
科技会议论文
图书
科技报告
科技专著
标准
其它
美国卫生研究院文献
分子生物学
神经科学
药学
外科
临床神经病学
肿瘤学
细胞生物学
遗传学
公共卫生&环境&职业病
应用微生物学
全科医学
免疫学
动物学
精神病学
兽医学
心血管
放射&核医学&医学影像学
儿科
医学进展
微生物学
护理学
生物学
牙科&口腔外科
毒理学
生理学
医院管理
妇产科学
病理学
生化技术
胃肠&肝脏病学
运动科学
心理学
营养学
血液学
泌尿科学&肾病学
生物医学工程
感染病
生物物理学
矫形
外周血管病
药物化学
皮肤病学
康复学
眼科学
行为科学
呼吸学
进化生物学
老年医学
耳鼻喉科学
发育生物学
寄生虫学
病毒学
医学实验室检查技术
生殖生物学
风湿病学
麻醉学
危重病护理
生物材料
移植
医学情报
其他学科
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
人类生活必需品
作业;运输
化学;冶金
纺织;造纸
固定建筑物
机械工程;照明;加热;武器;爆破
物理
电学
马克思主义、列宁主义、毛泽东思想、邓小平理论
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
文化、科学、教育、体育
语言、文字
文学
艺术
历史、地理
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
生物科学
医药、卫生
农业科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
综合性图书
主题
主题
题名
作者
关键词
摘要
高级搜索 >
外文期刊
外文会议
外文学位
外国专利
外文图书
外文OA文献
中文期刊
中文会议
中文学位
中国专利
中文图书
外文科技报告
清除
历史搜索
清空历史
首页
>
外文会议
>
其他
>
International Semiconductor Device Research Symposium
International Semiconductor Device Research Symposium
召开年:
召开地:
出版时间:
-
会议文集:
-
会议论文
热门论文
全部论文
全选(
0
)
清除
导出
1.
Interface Characterization of Molecular-Monolayer/SiO/sub 2/ Based Molecular Junctions
机译:
分子单层/ SIO /亚2 /基数分子交叉点的界面表征
作者:
Richter C.A.
;
Hacker C.A.
;
Richter L.J.
;
Kirillov O.A.
;
Vogel E.M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
2.
Impact of Epitaxial NiSi/sub 2/ Source/Drain on Short Channel Effect and Line Edge Roughness in Extremely Scaled MOSFETs
机译:
外延NISI / SUB 2 / SOURT /漏极在极缩小MOSFET中对短沟道效应和线边缘粗糙度的影响
作者:
Migita S.
;
Mise N.
;
Watanabe Y.
;
Kadoshima M.
;
Fujiwara H.
;
Ohno M.
;
Takaba H.
;
Iwamoto K.
;
Ogawa A.
;
Nabatame T.
;
Satake H.
;
Toriumi A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
3.
Organic Field-effect Transistor Channel Perturbation at Two Surfaces through Analyte Binding and Dielectric Charging
机译:
通过分析物结合和介电充电的两个表面的有机场效应晶体管扰动
作者:
Katz H.E.
;
Huang C.
;
Huang J.
;
See K.
;
Miragliotta J.
;
Becknell A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
4.
Heat and Temperature in Micromechanical Systems
机译:
微机械系统中的热温
作者:
Talghader J.J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
5.
An experimental 4RTD logic gate
机译:
实验4RTD逻辑门
作者:
Yamada A.
;
Yamada H.
;
Waho T.
;
Khorenko V.
;
Do T.
;
Prost W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
6.
Fluorinated ALD Al/sub 2/O/sub 3/ Gate Dielectrics by CF/sub 4/ Plasma
机译:
CF / Sub 4 /等离子体的氟化ALD Al / Sub 2 / Su / Sub 3 /栅极电介质
作者:
Chao Sung Lai
;
Kung Ming Fan
;
Yi Jung Chen
;
Kuo Hui Su
;
Chang Rong Wu
;
Shian Jyh Lin
;
Chung-Yuan Lee
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
7.
Magnetic Properties of Atomic-Layer-Deposited Hafnium Dioxide
机译:
原子层沉积铪二氧化铪的磁性性能
作者:
Chen H.-Y.
;
Ye P.D.
;
Murray J.
;
Xiong P.
;
von Molnar S.
;
Wilk G.D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
8.
New Excimer Laser Annealing Process for Single-Crystal 3-D Stacked Thin-Film Transistors
机译:
用于单晶3-D堆叠薄膜晶体管的新型准分子激光退火工艺
作者:
Xianyu W.
;
Huaxiang Yin
;
Cho H.S.
;
Xiaoxin Zhang
;
Noguchi T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
9.
High performance TFT circuits foon-board display driving on flexible stainless steel foils
机译:
高性能TFT电路FOON板展示柔性不锈钢箔
作者:
Troccoli M.
;
Jamshidi A.
;
Ta-Ko Chuang
;
Hatalis M.K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
10.
High Temperature Characterization of Si/SiGe Resonant Interband Tunnel Diodes
机译:
Si / SiGe谐振中间隧道二极管高温表征
作者:
Pawlik D.J.
;
Sudirgo S.
;
Kurinec S.K.
;
Thompson P.E.
;
Berger P.R.
;
Rommel S.L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
11.
Electrical Characterization of Defects in High-k Gate Dielectrics
机译:
高k门电介质缺陷的电气表征
作者:
Vogel E.M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
12.
I-V Characteristics Modeling and Parameter Extraction for CNT-FETs
机译:
CNT-FET的I-V特性建模与参数提取
作者:
Marulanda J.M.
;
Srivastava A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
13.
Temperature-dependent Radiative Lifetimes of Excitons in Non-polar GaN/AlGaN Quantum Wells
机译:
非极性GaN / Algan量子井中的温度依赖性辐射寿命
作者:
Rudin S.
;
Garrett G.A.
;
Shen H.
;
Wraback M.
;
Imer B.
;
Haskell B.
;
Speck J.S.
;
Keller S.
;
Nakamura S.
;
DenBaars S.P.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
14.
Lattice-Mismatch and CMOS
机译:
格子不匹配和CMOS
作者:
Fitzgerald E.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
15.
Trapping in Deep Defects under Substrate Hot Electron Stress in TiN/Hf-silicate Based Gate Stacks
机译:
基于锡/ HF硅酸盐的栅极堆叠基底热电子应力下的深缺陷捕获
作者:
Chowdhury N.A.
;
Srinivasan P.
;
Misra D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
16.
Reduction of lasing thresholds in circular photonic molecule microdisk lasers
机译:
圆形光子分子微量磁盘激光器中的激光阈值的降低
作者:
Smotrova E.I.
;
Nosich A.I.
;
Benson T.M.
;
Sewell P.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
17.
Structural and Analytical Studies of 4H Silicon Carbide MOSFETs with Thermally Grown Oxides
机译:
具有热生长氧化物的4H碳化硅MOSFET的结构和分析研究
作者:
Zheleva T.
;
Levin I.
;
Habersat D.
;
Lelis A.
;
Dautrich M.
;
Lenahan P.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
18.
Reverse Active Operation of 200 GHz SiGe HBTs
机译:
反向主动操作200 GHz SIGE HBT
作者:
Kuo W.-M.L.
;
Appaswamy A.
;
Krithivasan R.
;
Bellini M.
;
Cressler J.D.
;
Freeman G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
19.
Study of Dual-Gate SOI MOSFETs as RF Mixers
机译:
双门SOI MOSFET作为RF混合器的研究
作者:
Varadharajan S.
;
Kaya S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
20.
Characteristics of RuO/sub 2/ bottom electrode for MIM capacitor
机译:
MIM电容器Ruo / Sub 2 /底部电极的特性
作者:
Seoung Woo Do
;
Cheol Yeong Jang
;
Dae Gab Lee
;
Sung Hwan Choi
;
Yong Hyun Lee
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
21.
A CMOS Compatible Single Polysilicon Embedded NVM
机译:
一个CMOS兼容的单个多晶硅嵌入式NVM
作者:
Jiankang Bu
;
Parker C.
;
Prosack H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
22.
Novel Flash Memory Cell with a Channel Multi-Gate Transistor
机译:
具有通道多栅极晶体管的新型闪存单元
作者:
Wang W.-C.
;
Ko Y.-H.
;
Tang M.
;
Chang S.T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
23.
A new approach for fabricating horizontally grown semiconductor nanowires (case of zinc oxide)
机译:
一种制造水平生长半导体纳米线的新方法(氧化锌壳)
作者:
Nikoobakht B.
;
Vaudin M.D.
;
Stranick S.J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
24.
Calculation of the Electron Mobility in Silicon Inversion Layers: Dependence on Surface Orientation, Channel Direction, and Stress
机译:
计算硅反转层中的电子迁移率:表面取向,通道方向和应力的依赖性
作者:
Yang I.-J.
;
Peng C.-Y.
;
Chang S.T.
;
Liu C.W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
25.
An Assessment of Single-Electron Effects in Multiple-Gate SOI MOSFETs with 1.6-nm Gate Oxide near Room Temperature
机译:
在室温附近的多门SOI MOSFET中对多栅极SOI MOSFET中的单电子效应进行评估
作者:
Wei Lee
;
Pin Su
;
Hou-Yu Chen
;
Chang-Yun Chang
;
Ke-Wei Su
;
Sally Liu
;
Fu-Liang Yang
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
26.
Electrical characteristics of epitaxial /spl gamma/-Al/sub 2/O/sub 3/ films for quantum tunneling device
机译:
用于量子隧穿装置的外延/ SPLγ/ -Al / Sub 2 / Sub 3 /薄膜的电气特性
作者:
anonymous
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
27.
Strained-Si NMOSFETs on thin 200 nm virtual substrates
机译:
薄200 nm虚拟基板上的应变-si nmosfet
作者:
Hellstrom P.-E.
;
Edholm J.
;
Ostling M.
;
Olsen S.
;
ONeill A.
;
Lyutovich K.
;
Oehme M.
;
Kasper E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
28.
Low Leakage Current Transport and High Breakdown Strength of HfO/sub 2//SiC MIS Device Structures
机译:
低漏电流运输和HFO / SUB 2 // SIC MIS器件结构的高击穿强度
作者:
Hullavarad S.S.
;
Jones E.B.
;
Vispute R.D.
;
Venkatesan T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
29.
Ge/Cu/Ti Ohmic contacts to n-type GaN
机译:
GE / CU / TI欧姆接触N型GaN
作者:
Mahadik N.
;
Rao M.V.
;
Davydov A.V.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
30.
Bandgap Engineering of UV-Luminescent Nanomaterials
机译:
UV-发光纳米材料的带隙工程
作者:
Bergman L.
;
Morrison J.L.
;
Xiang-Bai Chen
;
Huso J.
;
Hoeck H.
;
Zheleva T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
31.
Emerging Reliability Issues of Nano-Scale SOI Technology
机译:
纳米SOI技术的新兴可靠性问题
作者:
Ioannou D.P.
;
Mishra R.
;
Ioannou D.E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
32.
Silicide/Si hetero-nanocrystal nonvolatile flash memory
机译:
硅化物/ Si杂纳米晶体非易失性闪存
作者:
Jianlin Liu
;
Dengtao Zhao
;
Yan Zhu
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
33.
Slope efficiency versus cavity length in quantum dot lasers
机译:
斜率效率与腔体长度在量子点激光器上
作者:
Asryan L.V.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
34.
Improved Electrical Characteristics and Retention Time of DRAMs Using HSG-merged-AHO Cylinder Capacitor
机译:
使用HSG合并-AHO气缸电容改善DRAM的电气特性和保留时间
作者:
Kim S.G.
;
Hyun C.S.
;
Park D.
;
Kim S.J.
;
Cho T.H.
;
Kang H.J.
;
Lee S.H.
;
Suk J.G.
;
Lim B.K.
;
Jeon Y.S.
;
Hwang K.H.
;
Hong H.S.
;
Jeon S.G.
;
Lee K.Y.
;
Oh K.S.
;
Park D.G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
35.
Impact of Surface Steps on the Roughness Mobility in 4H-SiC
机译:
表面步骤对4H-SIC粗糙度移动性的影响
作者:
Pennington G.
;
Potbhare S.
;
Goldsman N.
;
McGarrity J.M.
;
Lelis A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
36.
Electrical characterization of ultrathin atomic-layer-deposited Al/sub 2/O/sub 3/ on GaAs
机译:
超薄原子层沉积Al / Sub 2 / O / Sub 3 /在GaAs上的电气表征
作者:
Lin H.C.
;
Ye P.D.
;
Wilk G.D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
37.
Design Guideline of Multi-Gate MOSFETs Considering Body Effect
机译:
考虑体效应的多栅MOSFET设计指南
作者:
Nagumo T.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
38.
High Speed Switching Devices in 4H-SiC - Performance and Reliability
机译:
4H-SIC的高速开关装置 - 性能和可靠性
作者:
Sei-Hyung Ryu
;
Krishnaswami S.
;
Hull B.
;
Heath B.
;
Das M.
;
Richmond J.
;
Fatima H.
;
Jon Zhang
;
Agarwal A.
;
Palmour J.
;
Lelis A.
;
Geil B.
;
Katsis D.
;
Scozzie C.
;
Scofield J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
39.
Microhotplate-Based Sensor Platform for Standard Submicron CMOS SoC Designs
机译:
用于标准亚微米CMOS SoC设计的微岩基的传感器平台
作者:
Afridi M.
;
Hefner A.
;
Geist J.
;
Ellenwood C.
;
Varma A.
;
Jacob B.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
40.
Scaling Rules for Tunnel Field-Effect Transistors
机译:
隧道场效应晶体管的缩放规则
作者:
Bhuwalka K.K.
;
Born M.
;
Schindler M.
;
Eisele I.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
41.
Study of Leakage-Induced Photon Emission processes in sub-90 nm CMOS Devices
机译:
Sub-90nm CMOS器件中泄漏诱导的光子发射过程研究
作者:
Weizman Y.
;
Gurfinkel M.
;
Margulis A.
;
Fefer Y.
;
Shapira Y.
;
Baruch E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
42.
In-Plane Indium Phosphide Tunable Optical Filter Using Ridge Waveguides
机译:
使用脊波导的平面内磷化铟可调滤光器
作者:
McGee J.
;
Siwak N.
;
Morgan B.
;
Ghodssi R.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
43.
Work Function Tuning Via Ultra Thin Charged Reaction Layers Using AlTa and AlTaN Alloys
机译:
使用ALTA和ALTAN合金的超薄带电反应层调整工作功能调整
作者:
Bei Chen
;
Jha R.
;
Misra V.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
44.
Effects of Channel Doping Profile on Electrical Characteristics of Impact Ionization MOS
机译:
信道掺杂型材对冲击电离MOS电特性的影响
作者:
Sang Joon Hwang
;
Jee-Young Yoon
;
Ey Goo Kang
;
Man Young Sung
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
45.
Analysis of Temperature Model on Device Characteristics for AlGaN/GaN MODFET for High Power Electronics
机译:
高功率电子器件AlGaN / GaN MODFET的温度模型分析
作者:
Huq H.F.
;
Alam M.T.
;
Islam S.K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
46.
Characterization of Post-Gate Annealing Impact on Traps in AlGaN/GaN Schottky Diodes by Capacitance and Conductance Dispersion
机译:
电容和电导色散对Algan / GaN肖特基二极管陷阱后闸门退火撞击的特征
作者:
Junghui Song
;
Hyeongnam Kim
;
Wu Lu
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
47.
Modeling the Temperature Dependence and Optical Response of HgCdTe Diodes
机译:
建模HGCDTE二极管的温度依赖性和光学响应
作者:
Akturk A.
;
Goldsman N.
;
Dhar N.
;
Wijewarnasuriya P.S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
48.
Morphological evaluation and binding properties of Interleukin-6 on thin ZnO layers grown on 100 silicon substrates for biosensor applications
机译:
白细胞介素-6对生物传感器应用的薄ZnO层对白细胞介素-6的形态学评价及结合特性
作者:
Soumya K.
;
Bei Thaleia
;
Emmanouil Z.
;
George C.P.
;
Agis I.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
49.
Layout and Geometry Tolerances in COSMOS
机译:
Cosmos中的布局和几何公差
作者:
Al-Ahmadi A.
;
Kaya S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
50.
Silicon Nanowire Field Effect Transistor Test Structures Fabricated by Top-down Approaches
机译:
硅纳米线场效应晶体管测试结构通过自上而下的方法制造
作者:
Sang-Mo Koo
;
Qiliang Li
;
Edelstein M.D.
;
Richter C.A.
;
Vogel E.M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
51.
Low Sidewall Damage Plasma Etching with ICP-RIE and HBr Chemistry of Si/SiGe Resonant Interband Tunnel Diodes
机译:
低侧壁损坏等离子蚀刻与SI / SIGE共振间隧道二极管的ICP-RIE和HBR化学
作者:
Si-Young Park
;
Sung-Yong Chung
;
Ronghua Yu
;
Berger P.R.
;
Thompson P.E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
52.
Degradation of Characteristics and Critical Bit-Flip Errors in Cascaded 3-Stage CMOS Inverters due to RF Interference
机译:
由于RF干扰,级联3级CMOS逆变器中的特性和临界位翻转误差的降解
作者:
Kyechong Kim
;
Iliadis A.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
53.
Electrical Characteristic Enhancement of HfTaSiON-Gated Metal-Oxide-Semiconductor Devices Using HfON Buffer Layer
机译:
使用HFON缓冲层的HFTAPION GATED金属氧化物半导体器件的电特性增强
作者:
Chin-Lung Cheng
;
Chang-Liao K.
;
Hsin-Chun Chang
;
Tien-Ko Wang
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
54.
SiGe Heterostructure Devices and Applications
机译:
SiGe异质结构装置和应用
作者:
Koester S.J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
55.
Reliability optimization for wide bandgap devices: Recent developments in high-spatial resolution thermal imaging of GaN devices
机译:
宽带隙设备的可靠性优化:GaN设备的高空间分辨率热成像中的最新进展
作者:
Kuball M.
;
Uren M.J.
;
Martin T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
56.
A Novel High Performance Integrated Phototransistor Photodetector (PTPD) In Standard SiGe BiCMOS Technology
机译:
标准SiGe BICMOS技术中的一种新型高性能集成光电晶体管光电探测器(PTPD)
作者:
Kuang-Sheng Lai
;
Ji-Chen Huang
;
Hsu K.Y.-J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
57.
An Efficient Inclusion of Self-Heating and Quantum Effects in SOI Device Simulations
机译:
在SOI设备模拟中有效包含自加热和量子效应
作者:
Akturk A.
;
Goldsman N.
;
Metze G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
58.
Electrical and structural characterization of GaN nanowire based devices
机译:
基于GaN纳米线的设备的电气和结构特征
作者:
Koley et al G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
59.
Highly Reliable High-k Gate Dielectrics with Gradual Hf-profile in the HfO/sub 2//SiO/sub 2/ Interface Region
机译:
高度可靠的高k栅极电介质,HFO / sub 2 / sio / sub 2 / interface区域中的渐变HF型材
作者:
Iwamoto K.
;
Mizubayashi W.
;
Ogawa A.
;
Nabatame T.
;
Satake H.
;
Toriumi A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
60.
Surface and Interface Analysis of Mg/sub x/Zn/sub 1-x/O cubic and hexagonal phases by X-Ray Photoelectron and Rutherford Back Scattering Spectroscopies
机译:
Mg / sub X / Zn / Sub 1-X / O立方和六边形相的表面和界面分析由X射线光电子和Rutherford后散射光谱法
作者:
Hullavarad S.S.
;
Pugel D.E.
;
Dhar S.
;
Takeuchi I.
;
Venkatesan T.
;
Vispute R.D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
61.
Structural and rectifying junction properties of self-assembled ZnO nanoparticles in polystyrene diblock copolymers on 100 Si substrates
机译:
聚苯乙烯二嵌段共聚物中自组装ZnO纳米粒子的结构和整流结性100 Si衬底
作者:
Ali H.A.
;
Iliadis A.A.
;
Martinez-Miranda L.J.
;
Lee U.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
62.
Schottky Barrier Height in GaN/AlGaN Heterostructures
机译:
GaN / AlGaN异质结构的肖特基势垒高度
作者:
Anwar A.F.M.
;
Faraclas E.W.
;
Smith K.V.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
63.
An Accurate Model of the C-V Characteristic due to Quantum Mechanical Effects for the Surrounding Gate Transistor
机译:
由于周围栅极晶体管的量子机械效应,C-V特性的精确模型
作者:
Haneda H.
;
Sakamoto W.
;
Pesic I.I.
;
Nakamura H.
;
Sakuraba H.
;
Masuoka F.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
64.
Characterization of Sputtered-TaN metal gate for SiO/sub 2/ and HfO/sub 2/ gate dielectrics
机译:
SiO / Sub 2 / Sub 2 /栅极电介质溅射棕褐色金属栅极的表征
作者:
Yijie Zhao
;
Eberly B.
;
Huiling Shang
;
White M.H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
65.
Organic and Carbon Nanotube Thin-film Transistors Fabricated on Flexible Substrates using Transfer Printing
机译:
有机和碳纳米管薄膜晶体管,使用转印印刷制造在柔性基板上的薄膜晶体管
作者:
Hines D.R.
;
Breban M.
;
Sangwan V.
;
Tunnell A.
;
Williams E.D.
;
Ballarotto V.W.
;
Esen G.
;
Fuhrer M.
;
Shao Y.
;
Solin S.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
66.
Silicon substrtates with buried distributed bragg reflectors for biosensing
机译:
硅子基板与埋设分布式布拉格反射器的生物传感器
作者:
Bergstein D.A.
;
Ruane M.F.
;
Unlu M.S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
67.
The Short and Long Channel Pick-up Stick Transistors: A Promising Technology for Micro- and Macro-Electronics
机译:
短路和长通道拾取杆晶体管:用于微型和宏观电子的有希望的技术
作者:
Alam M.A.
;
Pimparkar N.
;
Kumar S.
;
Murthy J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
68.
An experimental study on the thermal stability of sputtered TiN gates for gate-first FinFETs
机译:
浇筑闸门 - 第一鳍齿溅射锡门热稳定性的实验研究
作者:
Liu Y.X.
;
Sugimata E.
;
Matsukawa T.
;
Masahara M.
;
Endo K.
;
Ishii K.
;
Shimizu T.
;
Suzuki E.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
69.
Gate-dielectric interface effects on low-frequency (1/f) noise in p-MOSFETs with high-K dielectrics
机译:
具有高k电介质的P-MOSFET中低频(1 / F)噪声的栅极 - 介电接口效应
作者:
Srinivasan P.
;
Simoen E.
;
Singanamalla R.
;
Yu H.Y.
;
Claeys C.
;
Misra D.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
70.
Investigation of Gate Tunnelling Leakage Current in a Novel Fully Depleted SOI MOSFET with a Thin Oxide
机译:
一种用薄氧化物的新型全耗尽SOI MOSFET闸门隧道漏电流的研究
作者:
Fathi E.
;
Farbiz F.
;
Mortazavi Y.
;
Fathipour M.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
71.
Three region Hetero-Material Gate Oxide Stack (TMGOS) Epi-MOSFET: A new device structure for reduced short channel effects
机译:
三个区域异质材料栅极氧化物堆叠(TMGOS)EPI-MOSFET:用于减少短信效应的新型器件结构
作者:
Goel K.
;
Saxena M.
;
Gupta M.
;
Gupta R.S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
72.
Development of High frequency Love Mode Surface Acoustic Wave ZnO/SiO/sub 2//Si Devices
机译:
高频爱模式表面声波ZnO / SIO / SUB 2 // SI器件的开发
作者:
Krishnamoorthy S.
;
Iliadis A.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
73.
Fluoride Resonant Tunneling Diodes on Si Substrates
机译:
Si基板上的氟化物谐振隧道二极管
作者:
So Watanabe
;
Toriumi Y.
;
Maeda M.
;
Sugisaki T.
;
Tsutsui K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
74.
High Breakdown Voltage AlGaN/GaN MIS-HEMT with SiN and TiO/sub 2/ Gate Insulator
机译:
高击穿电压AlGaN / GaN MIS-HEMT与SIN和TIO / SUB 2 /栅极绝缘体
作者:
Yagi S.
;
Shimizu M.
;
Inada M.
;
Yamamoto Y.
;
Guanxi Piao
;
Yano Y.
;
Okumura H.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
75.
Impurity Induced Voiding in Copper Interconnects
机译:
杂质诱导铜互连中的空隙
作者:
Kovler M.
;
Buchbinder M.
;
Cohen H.
;
Rabkin E.
;
Estrin Y.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
76.
N-type Thin-film Transistors Fabricated on Transferred, Elastically Strain-Shared Si/SiGe/Si Membranes
机译:
N型薄膜晶体管在转移,弹性应变共享Si / SiGe / Si膜上制造
作者:
Hao-Chih Yuan
;
Roberts M.M.
;
Savage D.E.
;
Lagally M.G.
;
Zhenqiang Ma
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
77.
A Novel Tri-Control Gate Surrounding Gate Transistor (TCG-SGT) Flash Memory Cell
机译:
围绕栅极晶体管(TCG-SGT)闪存单元的新型三控制栅极
作者:
Ohba T.
;
Nakamura H.
;
Sakuraba H.
;
Masuoka F.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
78.
Development of Deep UV LEDs and LED based Lamps
机译:
深紫色LED和LED基灯的开发
作者:
Katona T.M.
;
Zhang J.P.
;
Hu X.
;
Deng J.
;
Lunev A.
;
Bilenko Y.
;
Gaska R.
;
Khan M.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
79.
Novel Schottky Barrier Strained Germanium PMOS
机译:
新颖的肖特基堡垒紧张的锗PMOS
作者:
Peng C.-Y.
;
Yuan F.
;
Lee M.H.
;
Yua C.-Y.
;
Maikap S.
;
Liao M.H.
;
Chang S.T.
;
Liu C.W.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
80.
CMOSpost CMOS on-chip microwave pulse power detectors
机译:
CMOS&POST CMOS片上微波脉冲功率检测器
作者:
Woochul Jeon
;
Melngailis J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
81.
Performance Enhancement of ZnO Nanowire Field-effect Transistors with Self-Assembled Organic Nanodielectrics
机译:
具有自组装有机纳米电极的ZnO纳米线场效应晶体管性能提升
作者:
Sanghyun Ju
;
Kangho Lee
;
Myung-Han Yoon
;
Facchetti A.
;
Marks T.J.
;
Janes D.B.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
82.
Process Integration, Characterization, Modeling and Reliability of a 10K Poly Resistor for Low Power Mixed Signal VLSI Applications
机译:
用于低功率混合信号VLSI应用的10K多电阻的过程集成,表征,建模和可靠性
作者:
Anser M.
;
Prasad J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
83.
Optical and Current Noise of GaN Based Light Emitting Diodes
机译:
基于GaN的发光二极管的光学和电流噪声
作者:
Sawyer S.
;
Rumyantsev S.L.
;
Pala N.
;
Shur M.S.
;
Bilenko Yu.
;
Zhang J.P.
;
Hu X.
;
Lunev A.
;
Deng J.
;
Gaska R.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
84.
One-Dimensional Sub-Threshold Model for Symmetric Double-Gate MOSFETs
机译:
对称双栅MOSFET的一维子阈值模型
作者:
Qureshi S.
;
Chhabra G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
85.
Ultra-low-power HEMT and HBT devices and circuit demonstrations
机译:
超低功耗HEMT和HBT器件和电路演示
作者:
Lange M.D.
;
Cavus A.
;
Tsai R.S.
;
Monier C.
;
Deal W.R.
;
Chan B.
;
Cox A.C.
;
Pascua D.G.
;
Sandhu R.S.
;
Hsing R.
;
Poust B.D.
;
Kraus J.L.
;
Nam P.S.
;
Lee L.J.
;
Li D.
;
Gutierrez-Aitken A.L.
;
Noori A.M.
;
Hayashi S.L.
;
Goorsky M.S.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
86.
Polysilicon TFT technology on metal foils for large area flexible electronics
机译:
大面积柔性电子元箔的多晶硅TFT技术
作者:
Hatalis M.K.
;
Troccoli M.
;
Chuang T.K.
;
Jamshidi A.
;
Reed G.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
87.
Role of Low O/sub 2/ Pressure and Growth Temperature on Electrical Transport of PLD Grown ZnO Thin Films on Si Substrates
机译:
低o / sub 2 /压力和生长温度对Si基材PLD种植ZnO薄膜电传输的作用
作者:
Pandis Ch.
;
Brilis N.
;
Tsamakis D.
;
Ali H.
;
Krishnamoorthy S.
;
Iliadis A.A.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
88.
Controlled Selective Epitaxy for 3-D LSI
机译:
3-D LSI的受控选择性外延
作者:
Zhang X.X.
;
Cho H.S.
;
Xianyu W.X.
;
Yin H.X.
;
Noguchi T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
89.
Characterization of Sb-Doped Fully-Silicided NiSi/SiO/sub 2//Si MOS Structure
机译:
SB掺杂全硅化NISI / SIO / SUB 2 // SI MOS结构的表征
作者:
Hosoi T.
;
Sano K.
;
Hino M.
;
Ohta A.
;
Makihara K.
;
Kaku H.
;
Miyazaki S.
;
Shibahara K.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
90.
The Electrical Characteristics of Thin Gadolinium Oxide Films on Silicon Substrate by DC Reactive RF-sputtering
机译:
直流反应射流硅衬底上薄钆氧化膜的电特性
作者:
Tung-Ming Pan
;
Chao-Sung Lai
;
Hui-Hsin Hsu
;
Jer-Chyi Wang
;
Kuan-Di Wang
;
Chun-Lin Chen
;
Jian-Chi Lin
;
Jian-Der Lee
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
91.
New Dielectrics for Gate Oxides and Surface Passivation on GaN
机译:
GaN的栅极氧化物和表面钝化的新电介质
作者:
Gila B.P.
;
Thaler G.T.
;
Onstine A.H.
;
Hlad M.
;
Gerger A.
;
Herrero A.
;
Allums K.K.
;
Stodilka D.
;
Jang S.
;
Kang B.
;
Anderson T.
;
Abernathy C.R.
;
Ren F.
;
Pearton S.J.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
92.
On-chip 2-axis optical fiber actuator using gray-scale technology
机译:
使用灰度技术的片上2轴光纤执行器
作者:
Morgan B.
;
Ghodssi R.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
93.
Impact of Source/Drain Si/sub 1-y/C/sub y/ Stressors on the Strained Si NMOSFETs
机译:
源/漏极Si / sub 1-y / c / sub y / sum y / shorcors对紧张Si nmosfet的影响
作者:
Huang J.
;
Chang S.T.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
94.
An Ultrahigh Performance 8 GHz SiGe Power HBT
机译:
超高性能8 GHz SiGe Power HBT
作者:
Guogong Wang
;
Hao-chih Yuan
;
Zhenqiang Ma
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
95.
A New Gate Dielectric HfLaO with Metal Gate Work Function Tuning Capability and Superior NMOSFETs Performance
机译:
具有金属栅极工作功能调谐能力的新栅极电介质HFLAO和优越的NMOSFET性能
作者:
Wang X.P.
;
Li M.F.
;
Chin A.
;
Zhu C.
;
Ren Chi
;
Yu X.F.
;
Shen C.
;
Du A.Y.
;
Chan D.S.H.
;
Dim-Lee Kwong
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
96.
Worst Case Stress Conditions for Hot Carrier Induced Degradation of p-Channel SOI MOSFETs
机译:
热载体诱导P沟道SOI MOSFET降解的最坏情况
作者:
Ioannou D.P.
;
Mishra R.
;
Ioannou D.E.
;
Liu S.T.
;
Flanery M.
;
Hughes H.L.
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
97.
Al/sub 2/O/sub 3/ MIM capacitor with various metal bottom electrodes for DRAM applications
机译:
AL / SUB 2 / O / SUB 3 / MIM电容,具有各种金属底电极,用于DRAM应用
作者:
Seung Woo Do
;
Cheol Yeong Jang
;
Dae Gab Lee
;
Sung Hwan Choi
;
Yong Hyun Lee
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2005年
98.
Device physics considerations for SOI domino circuit design
机译:
SOI Domino电路设计的设备物理考虑因素
作者:
Niraj Subba
;
Souvick Mitra
;
Akram Salman
;
Dimitris E. Ioannou
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2001年
99.
In/sub 0.5/Ga/sub 0.5/P/In/sub 0.22/Ga/sub 0.78/As/GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor with gate oxide layer for improving on-state and off-state breakdown voltages
机译:
IN / SUB 0.5 / GA / SUB 0.5 / P / SUN 0.22 / GA / SUB 0.78 / AS / GAAs假型高电子迁移率,具有栅极氧化物层,用于改善导通状态和断开状态击穿电压
作者:
Lee J.-W.
;
Kang I.-H.
;
Kang S.-J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2001年
100.
III-V nitride-based two terminal devices for high power, high-frequency, high-power applications
机译:
III-V基于氮化物的两个终端设备,用于高功率,高频,大功率应用
作者:
Dimitris Pavlidis
会议名称:
《International Semiconductor Device Research Symposium》
|
2001年
意见反馈
回到顶部
回到首页