基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型

孙志宇; 魏晓光; 赵志斌; 周万迪

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基于Hefner模型的SPT+型IGBT改进通态数学模型

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新一代增强平面栅软穿通型(Soft Punch Through+,SPT+)IGBT采用了阴极侧载流子浓度增强技术,降低了通态损耗.现有仿真模型大多是基于典型穿通型(Punch Through,PT)IGBT建立的,无法准确描述SPT+型IG-BT的通态特性.本文在现有PT模型的基础上,结合SPT+型IGBT的结构特点和工作特性,将基区分为PIN区和PNP区两个部分,对阴极侧载流子分布进行优化,提出一种改进的SPT+型IGBT稳态模型.通过新旧模型的仿真波形与实测波形的对比,验证了改进模型的准确性.

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来源
《电子学报》 |2021年第3期|492-499|共8页
作者
孙志宇; 魏晓光; 赵志斌; 周万迪;
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作者单位

华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室北京 102206;

全球能源互联网研究院有限公司北京 102209;

华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室北京 102206;

全球能源互联网研究院有限公司北京 102209;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体技术;
关键词
绝缘栅双极型晶体管; SPT+; 载流子存储层; 通态数学模型;

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