SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究

张旭光; 李映雪; 王阳元; 朱忠伶

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SiO_2衬底上外延横向覆盖生长单晶硅薄膜的研究

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本文论述了SOI方法之一——ELO(外延横向覆盖生长)技术的特点和工艺方案。利用射频加热卧式常压外延设备进行了系统的工艺研究,重点探讨了如何提高ELO层的质量和如何减少单晶缺陷的问题。分别在10微米和15微米宽的SiO_2条状图形上生长出了硅单晶层,检测分析了ELO层的结构特性。基于ELO工艺的特点提出了利用HCl在位抛光减薄ELO层的工艺。

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来源
《电子学报》 |1989年第5期|1-7|共7页
作者
张旭光; 李映雪; 王阳元; 朱忠伶;
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作者单位

北京大学微电子研究所;

机电部北京自动化研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化合物半导体;
关键词
SiO2衬底; 单晶硅薄膜; 外延生长;

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