热丝CVD法在单晶硅衬底上低温外延生长Si和Ge薄膜的研究

黄海宾; 沈鸿烈; 唐正霞; 吴天如; 张磊

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采用热丝CVD法在单晶Si衬底上进行了Si和Ge薄膜的低温外延生长,用XRD和Raman谱对其结构性能进行了分析。结果表明:在衬底温度200℃时,Si(111)单晶衬底上外延生长出了Raman峰位置为521.0cm-1;X射线半峰宽(FWHM)为5.04cm-1。结晶质量非常接近于体单晶的(111)取向的本征Si薄膜;在衬底温度为300℃时,在Si(100)单晶衬底上异质外延,得到了Raman峰位置为300.3cm-1的Ge薄膜,Ge薄膜的晶体取向为Ge(220)。研究表明热丝CVD是一种很好的低温外延薄膜的方法。

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来源
《人工晶体学报》|2010年第3期|603-607|共5页
作者
黄海宾; 沈鸿烈; 唐正霞; 吴天如; 张磊;
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作者单位

南京航空航天大学材料科学与技术学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类大肠内的消化和排粪;
关键词
热丝CVD; 低温外延; 单晶Si衬底; Si膜; Ge膜;
入库时间 2022-08-21 04:48:20

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