首页> 中文期刊> 《电子学报》 >BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

BF2^＋注入硅栅PMOSFETγ辐照效应

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文系统地研究了ＢＦ２＾＋注入硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系，深入地探讨了ＢＦ２＾＋注入抗γ辐照加固的机理。结果表明，ＢＦ２＾＋注入是一种抗γ辐照加固的新方法。

著录项

来源
《电子学报》 |1995年第2期|88-91|共4页
作者
张廷庆; 刘家璐; 张正选; 赵元富;
展开▼
作者单位

西安电子科技大学微电子所;

骊山微电子研究所;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类掺杂;
关键词
二氟化硼; 离子注入; γ辐照; 硅栅PMOSFET;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. BF2+注入硅栅PMOSFETγ辐照效应 [J] . 张廷庆 . 电子学报 . 1995,第002期
2. BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究 [J] . 张廷庆 ,刘家璐 ,李建军 . 物理学报 . 1999,第012期
3. 国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 [J] . 崔江维 ,余学峰 ,刘刚 . 原子能科学技术 . 2010,第011期
4. BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 [J] . 张正选 ,罗晋生 ,袁仁峰 . 原子能科学技术 . 2000,第004期
5. 硅离子注入硅辐照效应的计算机模拟研究 [J] . 郑贤利 ,张泊丽 ,刘敏 . 材料导报：纳米与新材料专辑 . 2016,第001期
6. PMOSFET的低能瞬态X-ray及强电子束电离辐照效应 [C] . 范隆 . 第七届全国可靠性物理学术讨论会 . 1997
7. BF_2～+注入硅栅Si/SiO_2系统低剂量率辐照效应的研究 [A] . 刘传洋 . 2002

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号