ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究

邱继军; 靳正国; 武卫兵; 刘晓新; 程志捷

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ILGAR法制备CdS薄膜新工艺的研究

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采用一种薄膜制备的新方法一离子层气相反应法(ILGAR),以CdCl2为前驱体,H2S为硫源制备了CdS薄膜。利用XRD、SEM、AFM、XPS及UV-VIS透射光谱等测试分析方法对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌、膜厚增长速度及光学性能进行了研究。实验结果表明:ILGAR法制备的CdS薄膜表面较致密、均匀、附着性好;在0.05MCdCl2前驱体溶液浸渍处理,薄膜以-2.8nm/cycle的恒定速率增长,且薄膜晶体沿立方(111)面具有明显的择优取向生长;400℃热处理1h,发生立方→六方晶型转变,最终为六方与立方混相结构,择优方向转为六方(002)面;薄膜经热处理后在可见光处的吸收峰发生红移,其禁带宽度降低,并且会随着膜厚的增加进一步降低。

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来源
《太阳能学报》 |2005年第3期|371-375|共5页
作者
邱继军; 靳正国; 武卫兵; 刘晓新; 程志捷;
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作者单位

先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室天津大学材料学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
CdS薄膜; ILGAR法制备; 热处理;

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