抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响

周剑; 辛超; 魏秀琴; 周潘兵; 周浪; 张运锋; 张美霞

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抛光腐蚀深度对多晶硅片抛光与位错刻蚀效果的影响

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对抛光液新旧程度、抛光时间、抛光腐蚀深度等条件对多晶硅片抛光与位错刻蚀显示效果的影响进行实验研究。发现多晶硅片抛光效果与抛光时间无直接对应关系,而取决于抛光腐蚀深度。当硅片抛光腐蚀深度小于45μm时,抛光效果不佳,而大于此深度时,抛光效果良好。多晶硅片抛光腐蚀深度会明显影响之后刻蚀显示的位错密度,较浅时得到的位错密度值将偏高,影响区的深度大于19μm。提出一个表征化学腐蚀抛光液新旧程度的参数——硅溶解系数K,给出了抛光腐蚀速率、抛光液表观色泽与K值之间的明确对应关系。

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来源
《太阳能学报》 |2013年第2期|213-217|共5页
作者
周剑; 辛超; 魏秀琴; 周潘兵; 周浪; 张运锋; 张美霞;
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作者单位

南昌大学材料学院/光伏学院;

南昌330031;

英利能源(中国)有限公司;

保定071051;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类有色金属及其合金;
关键词
抛光; 多晶硅片; 位错; 抛光腐蚀深度;

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