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热释光剂量计测量X射线半值层法初步探讨

         

摘要

随着国内X光机数量的迅速增多,简易有效的X光机半值层(HVL)质量检测方法也越来越重要.使用Penelope 软件模拟 N80(65 keV)、N100(83 keV)、N150(118 keV)、N200(164 keV)重过滤窄谱辐照场中氟化锂热释光(LiF(Mg,Cu,P))剂量计在不同铜过滤片厚度下的能量沉积,分析计算得到X光机HVL;通过实验测量LiF在N100(83 keV)3 m处窄谱标准辐照场的X光机HVL,对模拟程序进行了验证.对模拟结果与标准实验室电离室测量结果进行比较表明:对于低能N80(65 keV)、N100(83 keV)辐照场,LiF剂量计测量X射线半值层的方法具有可行性;N150(118 keV)、N200(164 keV)辐照场中模拟结果与实验室给出电离法测量得到的半值层值相对误差较大,不建议直接使用LiF测量半值层.

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