应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

秦珊珊; 张鹤鸣; 胡辉勇; 屈江涛; 王冠宇; 肖庆; 舒钰

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应变Si全耗尽SOI MOSFET二维亚阈电流模型

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本文通过求解二维泊松方程,为应变Si全耗SOI MOSFET建立了全耗尽条件下表面势模型,利用传统的漂移-扩散理论.在表面势模型的基础上,得到了应变Si全耗SOI MOSFET的亚阈电流模型,并通过与二维器件数值模拟工具ISE的结果做比较,证明了所建立的模型的正确性.根据所建立的模型,分析了亚阈电流跟应变Si应变度的大小,应变Si膜的厚度和掺杂浓度的关系,为应变Si全耗SOIMOSFET物理参数设计提供了重要参考.

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来源
《物理学报》 |2011年第5期|784-788|共5页
作者
秦珊珊; 张鹤鸣; 胡辉勇; 屈江涛; 王冠宇; 肖庆; 舒钰;
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作者单位

西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
应变硅; FD-SOI; MOSFET; 表面势; 亚阈电流;

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