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汪红梅; 奚雪梅; 张兴; 王阳元;
北京大学微电子学研究所;
SOI; MOSFET; 深亚微米薄膜; 强反型; 电流模型;
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET中的载流子速度饱和限制了电流驱动的增强
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型,具有背栅衬底引起的表面电势效应
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的阈值电压模型
机译:深亚微米全耗尽SOI MOSFET的亚阈值斜率的二维模型
机译:适用于部分耗尽型绝缘体上硅(SOI)MOSFET的面积有效体接触。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:深亚微米SOI MOSFET漏极电流模型,包括串联电阻,自加热和速度过冲效应
机译:亚微米近固有薄膜sOI互补mOsFET。
机译:深度增强CoSi2形成形成深亚微米MOSFET中硅结的CoSi2深MOSFET MOSFET。
机译:全耗尽型(FD)(SOI)MOSFET存取晶体管及其制造方法
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